天岳先进：碳化硅半导体衬底行业近年来市场竞争日趋激烈 产品价格面临一定下行压力
【天岳先进：碳化硅半导体衬底行业近年来市场竞争日趋激烈 产品价格面临一定下行压力】《科创板日报》14日讯，天岳先进(688234)公告称，公司股票连续三个交易日收盘价格涨幅偏离值累计达30%，属于股票交易异常波动。经公司自查，公司关注到近期部分证券公司发布的研究报告中对公司未来的营业收入、利润水平、股价等指标进行了预测。公司在此风险提示如下：上述指标预测为证券公司单方面预测，公司未就上述指标预测进行确认，相关信息均以公司公告为准。公司所处的碳化硅半导体衬底行业近年来市场竞争日趋激烈，产品价格面临一定下行压力。同时，行业技术迭代速度加快，若公司未能持续保持技术领先优势并及时跟进市场需求变化，可能面临市场份额下降及业绩波动的风险，敬请投资者注意。
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12 只 · 按关联度排序
天
95%
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事件主体。全球导电型碳化硅衬底龙头（2025年市场份额27.6%，8英寸份额51.3%），公司就股价异常波动主动公告提示行业竞争加剧、产品价格下行及技术迭代风险。5月14日公告当天主力资金净流出2149万元。
三
88%
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国内化合物半导体龙头，通过子公司三安集成布局SiC全产业链（衬底→外延→器件），与天岳先进在SiC衬底市场形成直接竞争。2025年年度业绩预告显示净利润为负值，面临相同行业下行压力。近5日主力净流入2.38亿元，市场尚未充分定价行业风险。
露
85%
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曾投资21亿元建设6英寸SiC衬底产业园项目，但2026年1月公告因"6英寸导电型碳化硅衬底市场竞争较为激烈，现阶段大规模扩产已不符合市场需求"，将投资规模从19.4亿元调减至9.9亿元（缩减49%），节余9.5亿元补流，直接印证行业竞争加剧。
晶
85%
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国内碳化硅长晶炉核心供应商，2025年报公告称"受碳化硅行业调整，设备产品需求减少，同时光伏及碳化硅行业竞争加剧，产品价格下滑"，营收同比骤降46.53%，归母净利润从盈利5375万转为亏损3510万。直接证明衬底竞争加剧已向上游设备端传导。
晶
82%
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同时布局SiC长晶及加工设备龙头和年产30万片SiC衬底材料业务，已实现6-8英寸衬底规模化量产及马来西亚衬底工厂建设。2025年业绩预告归母净利润同比下降50%-65%，双重暴露于衬底价格下行和下游资本开支放缓。近5日主力净流入4.04亿元。
斯
82%
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国内IGBT/SiC功率模块龙头，SiC功率模块已实现大批量生产。衬底材料占SiC器件制造成本40%-50%，衬底价格下行将直接降低其原材料成本、提升毛利率。近5日主力净流入8887万元，资金面反映市场对下游成本改善的预期。
时
80%
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国内功率半导体IDM龙头，拥有8英寸SiC产业化基地，掌握SiC器件及组件完整技术，新能源乘用车功率模块装机260.76万套（市占率约13.8%全行业第二）。衬底降价将显著改善其SiC模块的制造成本结构。
华
78%
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SiC JBS G3和SiC MOS G2已完成产品系列化并量产，围绕新能源汽车、充电桩、光储等领域全面推广；SiC模块整体规模同比增长70%。衬底价格下行直接利好其SiC器件及模块产品的成本优化。
芯
75%
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国内领先的车规级SiC芯片及模组代工企业，具备IGBT/SiC芯片及模组生产能力。衬底降价可降低其代工业务的原材料采购成本，提升盈利能力。2025年处于亏损状态，成本改善对其扭亏具有重要意义。
扬
73%
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首条SiC芯片产线已实现量产爬坡并达国内领先水平，首条SiC车规级功率半导体模块封装项目建成投产并获国际Tier1客户订单。衬底降价将有利于其SiC新产品线的成本控制和毛利率提升。
高
72%
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碳化硅单晶切割、加工设备供应商，产品覆盖碳化硅衬底加工环节。2025年报提及受行业反内卷政策影响各环节价格整体处于历史低位，企业盈利能力大幅下滑，行业进入深度调整期，与公告所揭示的竞争加剧趋势一致。
士
72%
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子公司士兰明镓6吋SiC功率器件芯片生产线处于爬坡期。2025年报披露因"前期采购的原材料主材成本较高，而SiC芯片市场价格下降幅度较大"导致较大亏损，衬底降价有望缓解其原材料端成本压力。