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【韩国股市市值超越印度 跃居全球第六】在芯片巨头股价持续飙升的带动下,韩国股市已超越印度股市,跃居全球第六大股票市场。数据显示,今年韩国上市公司的总市值飙升了86%,达到5万亿美元;而印...
电子特气产品直接进入SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系(公司公告),覆盖8寸以上晶圆制造客户超90%。SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元用于HBM扩产,华特气体作为已导入其供应链的核心气体耗材供应商将直接受益。
硅零部件产品已直接进入SK海力士(大连)存储芯片制造厂供应链(2025年报明确披露);大直径硅材料最终经刻蚀设备商销售至三星、台积电。SK海力士2026年资本支出超30万亿韩元,公司硅零部件为刻蚀工艺核心耗材,半导体收入占比99.5%。
公司在韩国设有销售中心和工程中心,收购标的SHM原由SK海力士下属企业出资设立。主营NOR Flash和EEPROM非易失性存储芯片。韩国芯片巨头产能优先供给HBM高端产品导致通用存储供应紧张,公司作为国产存储芯片设计龙头受益于量价齐升。
中国最大NOR Flash供应商,SPI NOR Flash全球市占率第二,存储芯片收入占71.3%(2025年报)。韩国存储巨头产能向HBM倾斜挤压通用存储供给,公司NOR Flash、SLC NAND及利基型DRAM产品线受益于国产替代加速及价格上涨。
公司公告明确在使用三星、海力士等国际存储企业产品方案布局半导体存储器业务,半导体存储器收入占89.8%(2025年报)。韩国芯片市值飙升印证存储行业高景气,公司作为直接采用三星和海力士产品方案的存储模组厂商受益。
半导体存储器件测试业务收入占55.6%(2025年报),在香港、日本、韩国均设有研发中心,是国内领先的DRAM/NAND测试设备厂商。韩国DRAM/NAND全球产能扩张带动测试设备需求,募投项目聚焦新一代半导体存储器件测试设备研发。
国内少数研发封测一体化的存储芯片企业,获国家大基金二期投资,嵌入式存储收入占60.9%。2025年报指出国产DRAM份额约5%、NAND Flash低于10%,韩国芯片巨头市值飙升凸显存储产业战略价值,境外收入占53.4%。
国内CMP设备龙头,累计出机超800台,全面覆盖3D NAND存储、DRAM存储等主流产品线(公司自愿性公告)。韩国存储巨头扩产带动全球设备需求,CMP设备已切入国内主流存储产线,受益于存储芯片制造资本开支扩张。
全球领先的半导体存储品牌企业,拥有嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)、移动存储、内存条四大产品线。韩国芯片巨头市值飙升印证存储行业高景气,境外收入占66.8%,充分受益于全球存储市场量价齐升。
国内存储主控芯片行业第一家上市公司,产品包括固态硬盘(42.5%)、嵌入式存储(34%)、移动存储等。公司公告强调存储芯片国产替代具有急迫性,境外收入占64.1%,受益于全球存储价格上涨和国产化率提升。
国内封测龙头,2025年报明确本土封测企业正迎来覆盖存储芯片全产品线的新增需求窗口,募投项目聚焦存储芯片封测产能。集成电路封装测试收入占97.6%,境外收入占66.6%,受益于存储芯片出货量增长带来的封测订单增加。
蚀刻液系列产品针对3D NAND/DRAM存储器芯片制造开发(2025年报),第五大核心技术(存储芯片蚀刻)已达国际领先水平。韩国存储巨头扩产拉动全球存储制造耗材需求,集成电路材料收入占76.3%。
ALD与CVD设备已广泛应用于国产存储芯片量产产线,对推动3D DRAM、3D NAND技术迭代具有关键支撑作用(2025年报),半导体类设备收入占33.5%。韩国存储巨头市值飙升凸显存储技术领先地位。
在韩国设有子公司盛美韩国,从事半导体设备生产与销售。主营半导体清洗设备、电镀设备等,产品覆盖HBM先进封装湿法工艺。韩国芯片巨头资本开支扩张带动设备需求,盛美韩国作为本地化运营主体有望获取韩国市场订单。
国内等离子体刻蚀设备龙头,刻蚀设备用于3D NAND高深宽比刻蚀及HBM先进封装TSV工艺。HBM需求爆发是韩国芯片市值飙升核心驱动力,刻蚀设备已覆盖国内主流存储产线,受益于全球存储扩产周期和国产替代。
半导体材料业务(前驱体、光刻胶、电子特气)收入占31.4%,半导体前驱体为3D NAND/DRAM/HBM制造关键耗材。韩国存储龙头HBM技术领先带动全球存储材料需求,作为国产半导体材料平台型企业受益于存储产业链国产替代。
国内独立第三方芯片测试服务商,2025年报提及把握国产替代战略机遇进入存储芯片测试领域。韩国芯片景气上行带动国内芯片设计客户需求增加,作为集成电路测试服务商受益于国产芯片产量提升带来的测试外包需求增长。
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