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【桌面级光刻机将数天工序压缩至数分钟】美国得克萨斯大学奥斯汀分校研究团队开发出一种桌面级极紫外(EUV)光刻装置,并结合新型三维纳米打印技术,将原本需要数天完成的加工过程压缩至数分钟,进...
国内微纳直写光刻设备龙头,产品涵盖PCB直接成像(收入76.7%)和泛半导体直写光刻(收入16.6%)。UT Austin桌面级EUV+3D纳米打印技术与芯碁微装的直写光刻技术路线直接对标,均致力于降低芯片制造门槛。近5日主力资金净流入1.6亿元,市场关注度提升。
光刻气产品获日本GIGAPHOTON(全球EUV光源核心制造商)合格供应商认证(2025年8月公告)。GIGAPHOTON专注于光刻用准分子激光机及极紫外(EUV)光源。公司电子特种气体收入占85.2%,集成电路与显示行业客户占比79.8%,EUV光刻技术进步直接拉动光刻气需求。
以自主研发的三维光刻设备为核心,拥有大面积微纳三维光刻、纳米光刻、纳米压印技术。微纳光学产品及设备收入占87.5%。UT Austin的桌面级EUV+三维纳米打印技术与苏大维格的三维微纳光刻技术路线高度吻合,均涉及纳米级三维结构的快速制造。
年报明确披露为光刻机提供照明系统和投影物镜系统精密光学器件,指出深紫外与强激光光学镀膜是半导体光刻的核心底层技术。精密光学元件收入占43.8%,先进光学系统占31.5%。任何EUV光刻技术进步都将增加对高端光学元件的需求。
大功率射频电子管已在光刻机领域实现批量供货(2026年4月业绩说明会公告确认)。电子管产品涵盖激光激励振荡管,应用于光刻机等半导体加工设备。大功率激光器射频电子管收入占比4.3%、利润占比11.2%,是EUV光源相关的核心元器件供应商。
参股芯东来半导体科技(预计持股不超过11%),芯东来具有成熟工艺制程光刻机自研和量产能力,专注光刻机整机领域(2025年11月公告)。公司MEMS代工业务本身也使用光刻工艺。桌面级EUV降低芯片制造门槛,利好其晶圆代工业务。
年产300吨KrF/ArF光刻胶产业化项目已建成投产(2026年3月公告),为国内首条全流程高端晶圆光刻胶量产线,已布局超30款光刻胶产品。半导体业务收入占57%。光刻技术进步将带动高端光刻胶需求增长。
年报深度阐述光刻机光学元器件:光刻机作为半导体工业皇冠上的明珠,其性能直接由投影物镜系统和照明系统的光学元器件质量定义,使用超高均匀性氟化钙晶体、熔融石英制造的非球面透镜和反射镜。光学元件收入占比14.3%。
ArF浸没式光刻胶研发项目持续推进,已购置ArF浸没式光刻胶项目用光刻机设备。集成电路材料收入占76.3%,电子光刻为公司五大核心技术之一。光刻工艺进步直接提升高端光刻胶需求。
年报指出先进芯片制程需光刻机结合刻蚀和薄膜设备采用多重模板工艺实现更小尺寸,刻蚀设备在光刻受限时关键性提升。中国刻蚀设备龙头(收入100%来自半导体设备),与光刻工艺形成深度互补配套关系。
涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口,涵盖i-line、KrF和ArF系统。首台高产能KrF前道涂胶显影设备已于2025年9月交付中国头部逻辑晶圆厂。光刻前后道配套设备供应商。
从事纳米压印光刻技术研发,公告指出纳米压印光刻作为一种高分辨率图形化技术,突破了传统光学光刻的衍射极限限制。微纳光学元器件制造商,与UT Austin的3D纳米打印技术在纳米尺度图形化方向有技术交集。
国内稀缺的独立第三方半导体掩模版厂商,掩模版是光刻工艺图形转移的刚需母版。已布局40nm-28nm制程,需配备高端电子束光刻机。光刻技术进步推动掩模版精度要求提升。
光刻气产品获日本GIGAPHOTON合格供应商认证函(2025年5月公告),GIGAPHOTON是EUV光源核心制造商。但特种气体收入仅占2.1%,业务关联度相对低于中船特气。
国内高世代、高精度掩膜版龙头,掩膜版是光刻工艺图形转移的基准和蓝本。光刻机通过对掩膜版曝光将图案转移到硅片。收入100%来自掩膜版行业。
工业制冷设备龙头,产品用于光刻机的精密温度控制。年报明确指出光刻机等半导体制造设备对温控精度要求极高,温度波动直接影响良品率。液体恒温设备收入占70.9%。
光刻胶中间体(784光引发剂)项目已投产(2026年1月公告),主要用于PCB光刻胶固化。全球产量最大的光引发剂供应商,光刻胶收入占比0.1%尚小,但未来受益于光刻材料国产化趋势。
募投项目以光刻机为瓶颈设备进行掩模版产能测算,拟投入5台光刻机(28nm及40nm+制程)。光掩膜版收入占比1.2%尚小,但掩模版是光刻产业链关键环节。
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