高盛将韩国Kospi指数目标位从9000点上调至12000点
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【高盛将韩国Kospi指数目标位从9000点上调至12000点】高盛将韩国Kospi指数目标位从9,000点上调至12000点，并表示只要企业盈利维持强劲增长，市场就能获得良好的支撑。高盛策略师在报告中指出，这次上调目标位是由“更高的盈利，以及保守的8倍预期市盈率”所推动。高盛将2026年和2027年盈利增速预测分别上调至320%和35%，并表示韩国是该地区盈利表现最强的市场。不过，高盛也指出，“我们承认，今年以来韩国股市已上涨逾一倍，三星电子和SK海力士目前占韩国股市总市值的一半以上，散户投机活动升温，市场容易出现回调”
小财注：今年以来，韩国Kospi指数上涨109%，其中权重股三星电子上涨200%，SK海力士上涨263%。台股加权指数同期上涨60%，涨势主要由台积电等科技股推动。
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9 只 · 按关联度排序
太
92%
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控股子公司海太半导体（持股55%）自2009年起为SK海力士提供半导体后工序服务，2025年7月签署《第四期后工序服务合同》，期限至2030年6月30日，盈利模式为"全部成本+约定收益"（约定收益=总投资额×10%/年）。2022-2024年后工序收入中82-84%来自SK海力士，2026年度关联交易预计金额6亿美元。SK海力士股价涨263%印证其盈利爆发，太极实业直接受益于产能扩张。
香
88%
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公司电子元器件分销平台（联合创泰）拥有SK海力士、MTK联发科等国际一线品牌代理资格，电子元器件分销业务占2025年总收入的94.2%。作为SK海力士在中国的重要授权分销商，直接受益于SK海力士存储芯片出货量增长和价格上涨（SK海力士2026年盈利增速预测+320%）。
佰
85%
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国内领先的存储模组及芯片设计企业，主要原材料NAND Flash和DRAM晶圆全球产能集中于三星、SK海力士、美光。2025年SK海力士+三星合计占全球DRAM市场65.8%份额。HBM市场规模2025年达307.5亿美元（同比+100%），公司已布局CXL DRAM模组等高端存储产品，存储行业景气上行直接拉动公司嵌入式存储（收入60.9%）和PC存储（32.7%）业务。
精
82%
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国内半导体存储器件测试设备龙头，半导体存储器件测试业务收入占55.6%。公司年报明确指出全球存储厂商将先进制程和新增产能优先投向HBM，SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上，直接拉动存储测试设备需求。公司DRAM FT测试机、通用测试验证系统等产品是HBM/DRAM扩产的关键配套设备。
澜
80%
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全球内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占94.2%。DDR5内存接口芯片与DRAM市场景气高度绑定，三星和SK海力士存储产能扩张及DDR5渗透率提升直接增加内存接口芯片需求量。HBM及AI服务器对高带宽内存的需求进一步推升DDR5内存模组出货，带动公司互连类芯片收入持续增长。
兆
78%
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国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占71.3%（NOR Flash全球市占率第二）。三星和SK海力士盈利大幅增长验证全球存储行业进入超级景气周期，公司作为国内NOR Flash+利基型DRAM双轮驱动的存储芯片厂商，直接受益于行业涨价和国产替代加速。2025年全球利基型DRAM市场规模预计99亿美元。
神
78%
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半导体级单晶硅材料供应商，硅零部件及其他产品收入占54.1%。公司2025年报深度分析SK海力士经营情况：预计2026年销售额突破165万亿韩元、资本支出增至30万亿韩元以上、HBM市场爆发。作为刻蚀用硅材料核心供应商，SK海力士的扩产计划直接拉动公司硅零部件及大直径硅材料需求。
江
77%
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全球领先的存储品牌企业，2025年嵌入式存储收入占44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%。公司采购NAND Flash和DRAM晶圆来自三星/SK海力士等原厂，存储涨价周期中库存收益和产品售价同步提升。三星涨200%、海力士涨263%验证存储行业高景气，公司作为国内存储品牌龙头直接受益。
北
75%
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国内存储芯片设计企业，存储芯片收入占61.4%（含DRAM）。三星和SK海力士股价暴涨（+200%/+263%）印证存储行业超级周期，公司DRAM设计业务与行业景气高度相关。公司产品包括DDR4/DDR3/LPDDR等各类型DRAM芯片，受益于下游AIoT和汽车电子对存储需求的持续增长。