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美股纳微半导体(NVTS. O)6月3日收涨19%,在COMPUTEX 2026展示800VDC电源架构并宣布与英伟达(NVIDIA)MGX生态系统合作。AI服务器电源刚需爆发,海外英飞...
新闻直接点名:公司实控人阮晨杰通过合伙企业及个人持股控股镓楠半导体,掌握GaN外延、工艺、器件到产品定义全链条,已量产多型号合封氮化镓主控产品,有望快速落地AI电源全套方案。公司主营电源及电池管理芯片,2025年报显示已掌握GaN功率器件直驱专利技术。
公司属'氮化镓'概念板块,主营MOSFET/IGBT功率器件(收入占95.6%)。2025年报明确阐述AI服务器电源正沿三大方向加速演进:GaN/SiC等第三代半导体加速渗透、800V HVDC架构自2027年起逐步放量;公司已投入GaN/SiC宽禁带半导体研发产业化,与新闻核心趋势高度吻合。
属'氮化镓'概念板块。年报披露推出12款面向AI计算能源领域的核心新品,全面完成服务器一次/二次/三次电源全链路布局,其中'面向800V HVDC系统的1700V SiC辅源、隔离驱动、SiC/GaN驱动等芯片'直接匹配新闻800VDC架构主题。近5日主力净流入1.4亿元,资金加速布局。
属'英伟达概念'+'第三代半导体'双概念板块,电源产品收入占比28.5%。公司是英伟达AI服务器电源核心供应商,依托电力电子技术平台为AI数据中心提供电源解决方案,直接受益于纳微与英伟达MGX生态合作引发的服务器电源升级需求。近5日主力净流入3.08亿元,资金面强劲。
属'氮化镓'概念板块,模拟芯片设计龙头(DC/DC芯片占收入53.3%)。2025年报披露公司在GaN相关产品持续发力,已量产全新一代AHB方案及采用升级GaN的全新SSR和PFC平台,形成覆盖几瓦到几百瓦的完整GaN产品系列组合,功率覆盖适配AI服务器电源场景。
IGBT模块龙头(全球第五)。公告中'车规级GaN模块产业化项目'明确将AI服务器电源、数据中心列为GaN模块核心应用场景,GaN模块基于第三代半导体氮化镓,在高频高效率场景优势突出,直接受益于GaN涨价与长单潮。
AI服务器国内龙头(服务器收入占93.8%),属'英伟达概念'板块。纳微与英伟达MGX生态合作推动800VDC架构落地,浪潮作为英伟达核心生态伙伴及国内最大AI服务器厂商,其服务器产品将率先适配新电源架构并受益于云厂商资本开支扩张。
属'氮化镓'概念板块,主营功率器件(MOSFET等)+功率IC。年报明确提出GaN功率器件及驱动IC应用于云计算服务器电源,GaN HEMT器件特别适合高频高效率场景,对提升电源功率密度非常有利,与新闻GaN器件涨价受益逻辑直接相关。
年报明确阐述AI服务器直接带动功率半导体需求激增,GaN等高端工艺逐步成为主流;公司功率IC(53.1%)+功率器件(43.3%)双轮驱动,SiC/GaN为代表第三代半导体是其核心发展方向,受益于GaN器件涨价与服务器电源升级。
已正式取得NVIDIA CLOUD PARTNER高级别认证,智能算力产品及服务收入占22.6%。纳微与英伟达MGX生态合作推动800VDC架构,协创作为英伟达云合作伙伴在AI算力租赁和服务器集群解决方案方面深度绑定英伟达生态,间接受益于生态扩张。
属'氮化镓'概念板块,开关电源龙头。年报明确GaN与SiC器件应用占比不断提升,数据中心电源解决方案市场增速超12%;GaN第三代半导体器件普及将推动电源向高效化、小型化、智能化方向发展,受益于GaN涨价传导。
属'氮化镓'概念板块,充电器及适配器收入占69.2%,深耕GaN快充技术多年。GaN器件涨价+长单潮带动全产业链景气度提升,公司作为国内充电器龙头在GaN产品领域有技术积累,有望受益于行业整体涨价趋势。
属'氮化镓'概念板块。年报披露面向GaN功率器件的MOCVD外延设备具有很大增长空间,引用Yole数据:GaN功率器件市场将从2024年3.6亿美金增长到2030年超29亿美金(CAGR 42%)。GaN涨价扩产周期将带动上游设备需求,公司作为国产刻蚀+MOCVD龙头直接受益。
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