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士兰微在业绩说明会上表示,公司的8寸碳化硅线跑片顺利,已跑出合格芯片。计划明年年初安排通线仪式。另外,6寸的SiC产线负荷已大幅度上升。基于AI应用的48V efuse及多款Dr.MOS...
士兰微在业绩说明会上表示,公司的8寸碳化硅线跑片顺利,已跑出合格芯片。计划明年年初安排通线仪式。另外,6寸的SiC产线负荷已大幅度上升。基于AI应用的48V efuse及多款Dr.MOS和控制器芯片都在开发中。
士兰微在业绩说明会上表示,公司的8寸碳化硅线跑片顺利,已跑出合格芯片。计划明年年初安排通线仪式。另外,6寸的SiC产线负荷已大幅度上升。基于AI应用的48V efuse及多款Dr.MOS和控制器芯片都在开发中。
士兰微在业绩说明会上表示,公司的8寸碳化硅线跑片顺利,已跑出合格芯片。计划明年年初安排通线仪式。另外,6寸的SiC产线负荷已大幅度上升。基于AI应用的48V efuse及多款Dr.MOS和控制器芯片都在开发中。
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