碳化硅概念再度活跃 天岳先进、晶升股份涨超10%
【碳化硅概念再度活跃 天岳先进、晶升股份涨超10%】早盘碳化硅概念再度活跃，天岳先进、晶升股份涨超10%，斯达半导、英诺激光、时代电气、东微半导跟涨。消息面上，Citrini发布AI供应链报告，明确将SiC列为AI领域被严重忽略的核心主线。到2030年AI电源将占SiC电源市场的50%，衬底和设备需求有望增长近10倍。SiC在CoWoS先进封装中的应用规模将超过电源市场。当前百亿级市场，未来有望突破2000-3000亿。
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16 只 · 按关联度排序
天
95%
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国内SiC衬底绝对龙头，2025年报显示碳化硅衬底收入占比99.6%。公告明确SiC衬底用于AI数据中心电源PSU及先进封装散热基板，并获'全球SiC衬底影响力企业'奖项。Citrini报告预测衬底需求增长近10倍，公司直接受益，5日主力净流入1.51亿。
斯
92%
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国内功率半导体龙头，IGBT模块收入占比83.6%，已布局车规级SiC MOSFET模块扩产项目。公告明确指出AI服务器电源是重要下游，IGBT/SiC模块是AI数据中心电源核心器件。全球IGBT模块市场排名第五，5日主力净流入1.09亿。
东
90%
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主营高压超级结MOSFET及SiC MOSFET（功率半导体收入95.3%），产品直接应用于数据中心服务器电源、5G基站电源等AI基础设施。概念板块含'碳化硅''数据中心'，产品是AI电源PSU中电压调节模块的核心器件，5日主力净流入1.70亿。
晶
88%
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国内SiC单晶炉核心供应商，晶体生长设备收入占比86.9%。Citrini报告预测设备需求增长近10倍，公司SiC长晶炉直接受益。2025年虽受行业供需错配影响业绩下滑，但作为长晶设备稀缺标的，一旦扩产重启弹性最大。
晶
88%
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2025年报披露开发了碳化硅长晶及全套加工设备（研磨、切割、减薄、抛光、清洗），并明确'12英寸碳化硅衬底片瞄准CoWoS先进封装基板'，完美契合Citrini报告两大主线（AI电源+CoWoS应用）。5日主力净流入5.82亿，资金抢筹明显。
时
85%
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中车旗下功率半导体平台，新兴装备业务（含SiC器件、新能源电驱等）占比44.5%，核心器件自主可控。SiC功率器件广泛应用于轨道交通、新能源和AI数据中心电源，在高压大功率SiC领域技术领先，5日主力净流入1.08亿。
新
82%
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国内MOSFET功率器件设计领军企业，2025年报明确披露：MOSFET、IGBT、SiC产品可广泛应用于AI服务器及数据中心电源供应单元（PSU）和电压调节模块（VRM）。SiC/GaN功率器件及封测已产业化，直接受益于AI电源SiC化趋势。
宏
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以IGBT模块（收入占比76.7%）和SiC模块为核心，2025年业绩快报明确'加速渗透SiC和GaN高性能功率模块，重点布局AI服务器电源等成长性领域'。产品组合覆盖IGBT+MOSFET+SiC，模块化产品适配AI数据中心高功率密度需求。
扬
80%
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功率半导体器件收入占比87.8%，2025年报披露SiC模块新增C2A、Y-DPAK、HPD mini等系列，SiC MOS市场份额持续增加，产品已广泛应用于AI数据中心、新能源汽车等领域，形成从芯片到模块的完整SiC产品矩阵。
宇
78%
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SiC衬底加工设备核心供应商，公告明确'公司6-8英寸高精密数控切、磨、抛设备已实现批量销售，成为碳化硅衬底加工设备的主要供应商之一'。同时指出SiC在AI产业中具有巨大潜力，设备需求伴随衬底扩产同步增长。
三
75%
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国内化合物半导体全产业链龙头，子公司湖南三安半导体覆盖SiC衬底+外延+器件全环节，集成电路芯片收入（含SiC）占16.2%。概念包含碳化硅、第三代半导体、先进封装。虽LED仍是主体，但SiC业务布局最全面、产能最大。
锴
75%
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具备SiC基功率器件设计研发能力，2025年报深入讨论了碳化硅衬底市场（引用Wolfspeed预测2026年SiC市场89亿美元），并指出AI服务器等场景加速SiC渗透，公司同时布局Si基和SiC基功率器件，受益于行业整体扩容。
芯
72%
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公司功率器件产品含SiC MOSFET和SBD，2025年报明确将SiC功率器件列为核心产品方向，应用于新能源汽车OBC、充电桩、光伏逆变器等大功率场景。虽TVS仍占收入56.3%，但SiC产品线持续拓展中。
茂
72%
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2025年报明确'积极推动第三代半导体材料应用于电源产品，氮化镓与碳化硅器件应用占比不断提升'，并发布3600W数字电源以碳化硅器件为核心。作为AI电源产业链下游应用方，受益于SiC器件性能提升带来的电源产品升级。
中
72%
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通过收购进入SiC衬底CMP抛光领域，掌握原创性碳化硅衬底用电化学机械抛光技术（TNTAS®ECMP），解决SiC抛光效率低、良率低的痛点。作为国产半导体设备龙头，SiC衬底加工设备是衬底扩产周期中的关键受益环节。