韩国4月出口价格环比上涨7.1%，同比上涨40.8%；4月进口价格环比下滑2.3%，同比上涨20.2%。
韩国4月出口价格环比上涨7.1%，同比上涨40.8%；4月进口价格环比下滑2.3%，同比上涨20.2%。
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10 只 · 按关联度排序
兆
88%
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大陆存储芯片设计龙头，存储芯片营收占比71.3%（2025年报），产品包括NOR Flash（全球第二）、SLC NAND及利基DRAM。2025年报明确确认「存储周期上行，存储芯片营收同比+26.41%，利基DRAM及SLC NAND受益于供给紧缩价格较快上行」。韩国出口价格暴涨40.8%佐证全球存储涨价周期，公司直接受益于价格跟随。
北
85%
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通过收购ISSI（北京矽成）布局车规/工业级DRAM，存储芯片营收占比61.4%（2025年报），是国内利基型DRAM龙头。韩国DRAM（三星/SK海力士）是全球DRAM定价锚，出口价格暴涨直接带动全球DRAM涨价，公司利基DRAM产品价格跟随上行，存储芯片板块受益最强。
佰
85%
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国内存储模组龙头，嵌入式存储+PC存储营收占比93.6%，核心原材料NAND Flash及DRAM晶圆主要采购自三星、SK海力士等韩国原厂。公告确认「2025年3月起存储晶圆价格进入上行通道」（2025年报）。韩国出口价格暴涨验证存储晶圆涨价趋势，公司库存价值重估+产品提价双重受益。
江
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全球存储品牌龙头，嵌入式存储、SSD等产品营收100%来自存储业务。公告明确「存储晶圆主要采购自韩国三星、SK海力士」，且2025年二季度以来存储行业进入快速上行周期（定增问询函回复）。韩国涨价传导至上游晶圆成本推动，公司产品售价与晶圆成本联动，盈利空间受益。
澜
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全球内存接口芯片龙头，内存接口芯片营收占比94.2%（2025年报），DDR5世代产品量价齐升。DRAM涨价周期叠加DDR5渗透率提升，带动内存接口芯片（RCD/MDB）需求及单价同步上升。韩国出口价格暴涨验证全球DRAM景气上行。近5日主力净流入约5.89亿元，资金面确认主题关注度。
德
82%
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存储主控芯片设计+模组方案商，产品覆盖固态硬盘、嵌入式存储、移动存储。公告引用CFM数据确认「截至2026年1月半导体存储市场景气度已全面复苏，本轮上行周期预计将持续较长一段时间」。韩国出口价格暴涨确认全球存储涨价趋势延续，公司作为存储模组环节直接受益于价格上涨。
朗
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闪存应用产品龙头，闪存盘/SSD等产品营收占比超98%。2025年报明确预测「2026年全球存储市场规模创历史新高达3,772亿美元，同比增长64.15%，其中DRAM市场增69%、NAND增52%」。韩国出口价格暴涨是全球存储涨价周期的直接验证，公司作为终端品牌商受益于量价齐升。
神
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半导体级单晶硅材料龙头，产品供应全球集成电路刻蚀用硅电极。2025年报直接引用SK海力士数据：「SK海力士预计2026年销售额突破165万亿韩元，存储芯片供应紧张持续至2027年，计划资本支出增至30万亿韩元以上」。SK海力士扩产带动上游材料需求，公司作为硅材料供应商间接受益。
普
78%
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NOR Flash及EEPROM非易失性存储器芯片设计公司，主营业务100%集成电路，在2025年IC风云榜获「年度半导体上市公司领航奖（存储芯片）」。韩国出口价格暴涨验证全球存储涨价大周期，公司NOR Flash产品在涨价环境中受益，且产品广泛应用于三星等手机品牌客户。
深
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存储半导体封测及模组制造龙头，存储半导体业务营收占比26%（2025年报），业务涵盖DRAM模组、SSD等存储产品的封装测试与组装。存储涨价周期推动封测环节产能利用率和定价能力提升，间接受益于韩国出口价格暴涨验证的全球存储景气上行。