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受外资抛售加剧影响 韩国KOSPI指数下跌4%

【受外资抛售加剧影响 韩国KOSPI指数下跌4%】财联社5月15日电,韩国综合股价指数(KOSPI)早盘一度上涨至8000点大关,随后回落,现跌幅高达4%。外国投资者在早盘交易中抛售了价值1.6万亿韩元的KOSPI股票。三星电子、SK海力士和SKSquare是该指标的最大拖累因素。由于市场密切关注三星电子与工会的工资谈判以及可能发生的罢工,韩国综合股价指数最大成分股三星电子股价下跌一度高达5.1%。

相关股票

15 只 · 按关联度排序
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》(2025.7.1-2030.6.30),以全部成本+约定收益模式独家为SK海力士提供半导体后工序服务,关联交易公告(临2025-035、临2026-004)明确双方绑定关系。近5日主力资金净流入1.36亿元。
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控股子公司上海精测向客户出售膜厚系列、OCD、电子束等半导体量检测设备,应用场景明确为先进存储和HBM等相关领域,连续12月合同累计金额4.32亿元(2025年12月公告)。概念板块含高带宽存储器HBM,半导体收入占比39.4%。近5日主力净流入1.12亿元。
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全球DDR5内存接口芯片龙头,收入94.2%来自内存接口芯片,获制造业单项冠军认定(DDR系列内存接口芯片)。三星/SK海力士是全球DRAM核心供应商,其供应链波动加速国内DRAM产业链自主可控。年报显示互连芯片技术持续领先。近5日主力净流入1.58亿元。
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与澜起科技合作开发DDR5 SPD芯片并已在主流内存模组厂商大规模应用(年报明确记载),存储类芯片收入占87.6%。全球DDR5 SPD芯片供应商仅聚辰(与澜起合作)和瑞萨电子两家,市场领先地位稳固。韩国存储巨头波动强化DDR5模组配套芯片国产替代逻辑。
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国内封测龙头,拥有通富通科存储芯片封测基地,覆盖多层堆叠封装、功率模块封装等先进工艺(2025年定增问询函回复中明确提及)。AMD重要客户,存储芯片封测布局完善。韩国HBM/存储产能不确定性下国内先进封装替代需求提升。
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全球封测龙头,拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)等全系列先进封装技术,在中国、韩国和新加坡设八大生产基地。芯片封测收入占99.6%,全球第三大封测企业,具备承接HBM等高端存储封装产能转移能力。
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存储模组+先进封测一体化经营,嵌入式存储收入60.9%、PC存储32.7%。年报详细论述HBM市场规模(2025年307.5亿美元,同比超100%)及国产存储化率仅5%的替代空间。具备先进封装工艺能力和泰来科技存储封测基地,国产存储替代核心受益标的。
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NOR Flash全球市占率第二,存储芯片收入占71.3%,布局利基型DRAM。年报披露国产DRAM份额约5%、NAND Flash低于10%。韩国存储巨头若因罢工减产,国产存储替代将显著加速,兆易作为A股存储芯片设计龙头直接受益。
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全球领先的半导体存储品牌企业,产品线覆盖嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)、移动存储(21.5%)、内存条(9.7%)。国产DRAM/NAND份额均低于10%,韩国半导体波动加速全球客户寻求中国品牌替代。
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存储芯片收入占61.4%(含DRAM产品线),利润占比57.6%,是A股稀缺的DRAM芯片设计公司。国产DRAM份额仅约5%,三星/SK海力士产能不确定性推动客户加速导入国产DRAM方案。
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半导体级单晶硅材料供应商,硅零部件收入占54.1%。2025年年报摘要直接引用SK海力士业绩数据(2026年销售额预期突破165万亿韩元)及HBM资本支出计划(清州M15X晶圆厂),与韩国存储产业链深度关联。
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存储半导体业务收入占26%,利润贡献28.9%,主营存储芯片封测制造。央企背景(国务院国资委),国内重要存储封测基地。韩国存储产业波动下国产存储封测产能需求有望提升。
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概念板块含高带宽存储器HBM和内存,半导体材料收入占31.4%,光刻胶及配套试剂收入22.8%。通过并购切入半导体封装材料、电子特气、IC材料等领域,HBM国产化趋势下材料需求受益。
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闪存主控芯片设计+存储模组,固态硬盘收入42.5%、嵌入式存储34%。国内存储主控芯片行业第一家上市公司。国产NAND Flash份额低于10%,三星供货不确定性推动主控及模组国产替代。
72%
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国内封测三强之一,集成电路封装测试收入100%。产品覆盖FC、MCM(MCP)、SiP、WLP、TSV、Fan-Out等先进封装技术,概念板块含内存及玻璃基板封装,具备存储芯片封装能力。