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美股三大股指集体低开 芯片股集体下挫

【美股三大股指集体低开 芯片股集体下挫】财联社5月15日电,美股三大股指集体低开,道琼斯指数跌0.66%,标普500指数跌0.89%,纳斯达克综合指数跌1.33%。芯片股普跌,英特尔、美光科技跌超5%,英伟达跌超2%。消息面上,三星罢工风波升级引发市场担忧。

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三星是全球DRAM/NAND龙头,罢工导致供给收缩将推升存储芯片价格。兆易创新2025年报显示存储芯片营收占比71.3%,NOR Flash全球市占率第二,并布局利基型DRAM及SLC NAND。公司公告明确称存储周期上行,各类存储产品均不同程度受益。主力5日净流出9.9亿元系跟随美股情绪,基本面逻辑为涨价利好。
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通过ISSI布局车规/工业级DRAM芯片,2025年报显示存储芯片营收占比61.4%。公司公告明确指出三星等原厂将产能转向HBM导致传统DRAM产能受挤压,引发DRAM缺货涨价潮。三星罢工将加剧传统DRAM供给紧张,直接利好北京君正的利基型DRAM产品线涨价和份额提升。
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公司主营嵌入式存储(收入占比60.9%)和PC存储(32.7%),存储类产品合计97.5%。2025年报公告指出存储晶圆价格进入上行通道,同时HBM需求挤压通用产能。三星罢工加剧NAND/DRAM供给收缩,公司作为封测一体化存储模厂将受益于涨价周期和客户转单,毛利率已从1.7%升至21.4%。
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全球领先的半导体存储品牌企业,产品涵盖嵌入式存储(44%)、固态硬盘(24.5%)、内存条(9.7%)等全品类,100%收入来自存储业务。三星罢工导致存储原厂供给收缩,公司将直接受益于存储产品涨价周期;此前公告已提及原厂涨价幅度超30%。
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电子元器件分销收入占比94.2%,拥有SK海力士(全球第二大DRAM厂商)一级代理资格,并具备HBM高带宽存储概念。三星罢工将推动存储芯片涨价,分销商库存价值重估弹性大。公司直接受益于存储涨价传导,5月14日主力净流入6.6亿元反映市场关注度提升。
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100%收入来自存储业务(固态硬盘42.5%+嵌入式34%+移动存储13.7%+内存条9.7%),是国内少数具备存储主控芯片自研能力的模组厂。公告明确指出全球NAND/DRAM由三星等少数原厂寡头垄断,三星罢工将加剧供给紧张和价格上行,利好公司存储模组产品利润率。
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闪存应用产品(SSD/闪存盘)收入占比70.9%,闪存控制芯片27.2%,为A股存储第一股。2025年报公告指出原厂大范围涨价,涨幅普遍超30%,DRAM/NAND市场规模高速增长。三星罢工将进一步收缩全球存储供给,公司作为品牌存储厂商直接受益涨价和市占率提升。
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半导体存储业务收入占比89.8%,通过全资子公司大为创芯经营DRAM/NAND模组产品。2026年3月增发公告明确写道国际存储原厂将产能优先分配给HBM,挤压通用产品线,供给急剧收缩导致成熟存储领域结构性紧张。三星罢工将加速这一供给收缩趋势。
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内存接口芯片营收占比94.2%,是全球DDR5内存接口芯片龙头。三星罢工推高DRAM价格和内存市场规模,将带动内存接口芯片需求量和单价提升。公司处于存储芯片下游配套环节,DDR5渗透率提升叠加存储景气上行形成双击。
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本土最大电子元器件分销商,存储器分销收入占比38.4%(2025年报)。作为央企背景的元器件分销平台,覆盖三星、海力士等原厂的存储芯片分销。存储涨价周期中分销商库存增值明显,且公司存储器分销利润贡献占比达39.6%,涨价弹性显著。
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中国最大电子元器件授权分销商,分销收入占比96.7%。2025年报公告指出存储芯片持续缺货涨价,同比增长34.8%。三星罢工将进一步加剧存储芯片缺货涨价,公司作为分销龙头将受益于库存价值重估和下游客户抢货带来的量价齐升。
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数据存储主控芯片营收占比87.6%,是少数掌握SSD/嵌入式存储主控芯片技术的国产厂商。公告指出三星等原厂自研主控芯片不对外出售,联芸为独立主控供应商。三星罢工推动存储市场扩容,将带动第三方主控芯片需求增长。
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产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等头部品牌终端,是三星NOR Flash/EEPROM供应商。存储涨价周期中NOR Flash量价齐升利好设计业务(100%芯片产品),但三星作为下游客户因罢工减产可能减少采购量,两条逻辑对冲。整体涨价受益大于短期订单波动。
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公司档案明确披露已进入三星、英特尔、美光、SK海力士等全球领先半导体企业供应链体系,提供电子特气。国外收入占比21.6%。三星罢工导致产能减少,对上游电子特气等耗材采购将相应缩减,对公司海外业务收入形成短期压制。
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公司2026年3月公告明确披露产品已打入联想、小米、三星等头部客户供应链,向三星供应功率器件(MOSFET)。三星罢工致其生产受限,对上游功率器件的采购订单将减少。不过公司99%收入来自中国大陆,三星业务占比相对有限,受损幅度可控。