SK海力士将于2025Q1推出D1c DRAM芯片，HBM4进入规模应用周期
TechInsights确认SK海力士将于2025Q1全球首发D1c技术节点DRAM芯片，标志着HBM4存储技术进入产品化阶段。该技术将成为2026-2027年数据中心和AI芯片标配存储方案，配套单个裸晶容量将从主流16Gb向32Gb/48Gb跨越。系首次实现3D DRAM技术在10纳米以下节点的商业化突破，对三星、美光形成2年以上技术代差。
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