日经225指数收跌0.25%，报64996.09点；韩国KOSPI指数收涨2.55%，报8047.51点，再创收盘历史新高。
国产芯片
高带宽存储器HBM
半导体
日经225指数收跌0.25%，报64996.09点；韩国KOSPI指数收涨2.55%，报8047.51点，再创收盘历史新高。
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佰
82%
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DRAM存储芯片原厂SK海力士（市占33.2%）与三星（32.6%）是公司核心晶圆供应商，公司年报明确披露存储晶圆采购集中于上述韩国原厂。韩国KOSPI创新高反映存储景气上行，SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元，直接利好公司晶圆供应稳定性与产品需求。近4日主力资金净流入8881万元，市场关注度提升。
容
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公司在韩国忠州建设正极材料工厂，已累计投入24.72亿元，拥有年产2.7万吨和4万吨高镍三元正极产能，专门面向北美及韩国市场。同时公司与LG化学等韩国电池龙头建立长期合作关系，韩国KOSPI创新高反映锂电产业链景气，直接带动公司韩国产线资产价值重估。近4日主力资金净流入2940万元。
神
78%
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公司2025年报直接引用「SK海力士预计2026年销售额突破165万亿韩元，HBM市场爆发式增长为核心驱动力」，公司主营半导体级单晶硅材料及硅零部件，用于刻蚀设备，深度嵌入全球半导体产业链。23.3%收入来自海外。SK海力士30万亿韩元资本开支扩张直接拉动上游硅材料需求。
强
72%
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公司公告明确将研发资源投向「面向DRAM/HBM的超高针数MEMS探针卡技术」，探针卡是HBM量产测试核心硬件。SK海力士是全球HBM市场绝对龙头（2025年DRAM市占33.2%），韩国半导体景气上行→HBM扩产→探针卡需求增长，公司作为境内极少数自主MEMS探针卡供应商直接受益。
普
70%
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公司在韩国首尔设有销售和现场应用服务与支持中心，深耕韩国市场。公司NOR Flash和EEPROM产品广泛应用于三星等品牌厂商，是三星核心存储器芯片供应商之一。韩国KOSPI创新高巩固其消费电子与半导体需求景气度，利好公司韩国区销售拓展（国外收入占比24%）。
中
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公司是国内等离子体刻蚀设备龙头，刻蚀设备是3D NAND和HBM（高带宽存储器）制造的核心工艺设备。SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元重点投向HBM产能，同时三星也在美国投建先进逻辑晶圆厂，扩产周期直接拉动刻蚀设备需求。公司HBM概念标签明确，有望受益于韩国半导体资本开支扩张。
密
62%
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公司2021年起在韩国设立子公司，已形成覆盖韩国、东南亚及欧美的全球化化工新能源供应链网络。韩国KOSPI创新高背后是半导体、电池等出口导向型产业景气上行，公司作为中韩之间化工品及新能源供应链物流服务商，有望受益于中韩贸易活跃度提升。