碳化硅概念再度走强 扬杰科技涨超10%创历史新高
碳化硅
第三代半导体
【碳化硅概念再度走强 扬杰科技涨超10%创历史新高】早盘碳化硅概念再度走强，扬杰科技涨超10%，股价创历史新高，天岳先进、英诺激光、捷捷微电、新洁能、晶升股份、时代电气跟涨。消息面上，华西证券研报称，到2030年整体电源的SiC衬底需求有望接近700亿元，有望实现近8倍增长，其中8吋下游FAB线的大量扩产有望大幅刺激衬底与设备需求。
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14 只 · 按关联度排序
天
93%
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国内SiC衬底绝对龙头，碳化硅衬底占营收99.6%。已实现2-12英寸全尺寸产业化，2025年推出业内首款12英寸SiC衬底。华西证券预测2030年SiC衬底需求近700亿元（近8倍增长），公司作为衬底最纯正标的直接受益于8吋FAB扩产带来的衬底需求爆发。
扬
92%
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新闻直接点名涨超10%创历史新高。首条SiC芯片产线顺利量产爬坡，首条SiC车规级功率模块封装项目建成投产，已获多家国际国内主流Tier1客户订单。半导体功率器件收入占87.8%。近5日主力净流入2.87亿元，资金积极抢筹。
晶
90%
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新闻直接点名。主营SiC长晶炉等晶体生长设备（收入占比86.9%），同时积极开发8英寸SiC外延炉。受8吋FAB扩产趋势拉动，公司SiC长晶炉直接受益于衬底厂商扩产需求，是SiC设备环节核心标的。
晶
88%
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SiC装备全线布局：长晶炉+加工设备（研磨/切割/减薄/抛光）+外延设备，6-8英寸碳化硅外延设备市占率领先并实现国产替代，率先开发12英寸碳化硅外延设备。设备销售及服务收入占74%，8吋FAB扩产直接拉动公司设备订单。
新
87%
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新闻直接点名。国内MOSFET功率器件设计龙头，前瞻布局SiC功率器件（第三代半导体）。年报显示预测2026年全球SiC功率器件市场规模将达38.8亿美元，公司在SiC MOSFET等产品线已覆盖新能源汽车、光伏等场景，直接受益于8倍增长市场空间。
三
87%
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国内SiC IDM龙头。湖南三安6吋SiC产能16000片/月，8吋SiC衬底/外延/芯片产线已通线；重庆三安投资70亿建8吋SiC衬底48万片/年；与意法半导体合资安意法已通线。集成电路芯片收入占比16.2%且快速放量，全产业链布局最为完整。
捷
86%
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新闻直接点名。功率半导体IDM厂商，产品布局碳化硅等第三代半导体。功率半导体分立器件收入占64%、功率半导体芯片占34%，下游覆盖新能源汽车、充电桩等领域，碳化硅概念纯正，芯片和封装器件全产业链受益。
斯
86%
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国内车规级IGBT/SiC模块龙头，SiC功率模块已大批量生产。IGBT模块收入占83.6%，产品含SiC芯片和模块。2024年车规级模块配套超300万套新能源汽车。近5日主力净流入7548万元，资金面积极布局SiC业务增长预期。
士
85%
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SiC-MOSFET芯片已大批量量产交付，6吋SiC产线月产能9000片，第IV代SiC-MOSFET技术开发完成。国内IDM龙头（器件收入占48.9%），从芯片设计到制造封测全链布局，直接受益于SiC器件市场爆发。
时
85%
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新闻直接点名。中车旗下功率半导体平台，具备IGBT+SiC全链能力。新兴装备（含SiC器件/模块）收入占44.5%，SiC产品应用于新能源汽车电驱、光伏逆变器等，受益于8吋SiC产线扩产和下游需求高增长。
芯
83%
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国内车规级SiC代工龙头，6英寸SiC产能8000片/月，正推动6吋→8英寸SiC MOSFET升级。集成电路晶圆代工收入占73.1%，8吋FAB扩产趋势下代工需求直接受益，车规级客户覆盖广泛。
合
78%
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投资72亿元建设SiC衬底/外延/器件制造产业园（年产120万块功率器件模组），已建成从SiC粉料到衬底/外延的量产线。利用硅基产业链协同优势切入第三代半导体，是布局SiC全链的新兴力量。
英
73%
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新闻直接点名。国内领先微加工激光器生产商，纳秒/皮秒/飞秒级激光器可应用于SiC晶圆切割、划片等超硬材料精密加工环节。激光器收入占56.4%，SiC硬脆材料加工需求增长为激光精密加工带来增量市场。
中
70%
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8英寸碳化硅外延设备已付运国内领先客户验证，同时开发更多化合物半导体外延设备。公司是半导体刻蚀+MOCVD设备龙头（营收100%来自半导体设备），SiC外延设备是重要增长极，受益于8吋FAB扩产带来的设备需求。