闪迪CTO：AI竞赛正变成“拼内存” HBF成套产品明年推出
内存
闪存
高带宽存储器HBM
【闪迪CTO：AI竞赛正变成“拼内存” HBF成套产品明年推出】财联社5月29日电，闪迪（Sandisk）首席技术官表示，AI大模型、KV缓存和专家混合模型等技术趋势，正使全球AI竞赛日益“以内存为中心”，客户抢签长期采购协议的力度前所未见。与此同时，闪迪披露其新型AI内存HBF（堆叠式闪存）将在年底送样，配备控制器的完整产品预计于明年正式推出。
相关股票
14 只 · 按关联度排序
江
92%
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2025年6月与闪迪(Sandisk)签署有约束力合作备忘录，基于自身主控芯片、固件研发和封测制造能力与闪迪NAND Flash技术联合开发UFS产品。2024年中国市场企业级SATA SSD国产厂商排名第一，嵌入式存储收入44%，是闪迪战略合作伙伴中A股关联度最高的标的。
佰
90%
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2025年报直接分析HBF技术，指出"HBF基于NAND闪存堆叠，在相同物理空间内提供约为现有HBM 8~16倍容量"，与闪迪CTO表述高度吻合。公司具备先进封装(2.5D/Chiplet/RDL/Fanout)能力，企业级SSD已导入AI服务器头部厂商，获国家大基金二期投资。
联
85%
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国内稀缺的数据存储主控芯片供应商，SSD主控芯片收入占比87.6%。是佰维存储等存储模组厂商的核心主控供应商。AI驱动企业级SSD需求爆发，存储控制器作为NAND闪存生态"大脑"直接受益于HBF等新存储层级的推广。
通
83%
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正在实施"存储芯片封测产能提升项目"，掌握TSV、3D堆叠等先进封装技术，可用于HBM及堆叠式闪存产线。公司集成电路封装测试收入占比97.6%，与存储芯片厂深度绑定，随HBF产品落地将直接承接堆叠封装订单。
德
80%
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100%收入来自存储业务，覆盖固态硬盘(42.5%)、嵌入式存储(34%)、移动存储等全产品线。自研SD存储卡主控和SATA SSD主控芯片已量产，正加速PCIe SSD控制芯片研发。企业级SSD重点投向AI服务器市场，受益于闪迪CTO所述的AI存储需求爆发。
兆
78%
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SPI NOR Flash全球市占率第二，SLC NAND Flash受益于AI驱动主流3D NAND产能转移带来的供给缺口。存储芯片收入占比71.3%。端侧AI发展推升NOR Flash代码存储需求，与闪迪"AI竞赛拼内存"趋势判断一致。
晶
78%
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晶圆级TSV硅通孔和3D堆叠集成封装技术引领者，其技术路径正是HBF堆叠式闪存所需核心工艺。芯片封装收入占比77%，在AI芯片堆叠互联领域具备不可替代性，是存储堆叠封装技术环节的关键A股标的。
澜
75%
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全球内存接口芯片龙头，收入占比94.2%。AI服务器高带宽内存模组离不开内存接口芯片、SPD集线器等配套芯片。闪迪HBF产品推出将丰富服务器存储层级，对内存接口芯片产生增量需求。
华
75%
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年报明确指出高纯电子特气"已成为3D NAND制程、DRAM存储芯片、HBM高带宽内存的核心刚需耗材"。覆盖长江存储等90%国内8寸以上晶圆厂，并进入美光、SK海力士供应链。AI存储扩产直接拉动电子气体用量升级。
利
72%
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正在研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目，是A股少数直接提及HBM测试的第三方芯片测试公司。产品覆盖NAND Flash、DDR等存储芯片测试，随HBF等新产品推出将获得增量测试订单。
朗
72%
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闪存盘发明者，"存储第一股"，产品覆盖SSD、DRAM内存条、嵌入式存储和移动存储全品类。闪存应用产品收入占比70.9%，深度绑定NAND Flash产业链，受益于AI存储需求爆发带来的行业景气度提升。
普
70%
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主营SLC NAND Flash和NOR Flash非易失性存储器芯片。AI端侧设备对代码存储和快速启动要求提升，带动SLC NAND需求增长。产品应用于三星、OPPO等主流品牌，受益于AI驱动闪存行业整体扩容。
德
68%
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高端电子封装材料供应商，集成电路封装材料收入占比16.2%。年报指出材料需"适配HBM存储器封装、2.5D/3D封装"需求，DAF固晶膜等核心品类需紧跟堆叠工艺升级，是HBF封装材料端的直接受益环节。