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【新工艺实现多层单晶硅电路垂直集成】美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校研究团队攻破了三维芯片制造领域“最后堡垒”,他们开发出一种在严格热预算限制下,实现多层高性能单晶硅电路垂直集成的工艺。...
国内封测龙头,公告明确披露拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装(WLP)、系统级封装(SiP)等先进封装技术集群。3D IC垂直集成商业化最核心的承接方,通过旗下八大全球生产基地直接受益于三维芯片集成技术产业化趋势。主力资金5日净流出约31亿元,属板块性调整。
全球晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)主要提供者与技术引领者,公告明确拥有硅通孔(TSV)、晶圆级、Fanout等多样化先进封装技术,具备传感器芯片异质集成能力。TSV是垂直集成多层电路的关键工艺,公司在该领域的技术积累直接对应新闻中的多层单晶硅垂直集成需求。
公告披露封装产品涵盖2.5D/3D、TSV、Bumping、Fan-Out、WLP等多个先进封装系列,加快推进板级封装和2.5D平台技术研发。集成电路封装测试收入100%,作为国内封测三强之一,是3D IC垂直集成技术产业化的核心承载平台。
公告明确披露拥有2.5D、3D等先进封装与测试技术集成能力,并已加强晶圆级先进封装布局。国家集成电路产业基金第二大股东。集成电路封装测试收入占比97.6%,与AMD等国际大厂深度绑定,在高端3D封装需求爆发中直接受益。
公告明确提到Chiplet技术通过2.5D、3D先进封装实现芯片堆叠集成,是打破系统瓶颈的关键使能技术。公司拥有六大自主处理器IP和1600多个数模混合IP,提供一站式芯片定制服务,为3D IC设计提供核心IP和设计服务支撑,属于三维集成生态中的关键上游环节。
公告披露3D NAND正向400+层堆叠演进、HBM基于3D堆栈工艺突破内存带宽瓶颈。公司拥有晶圆级先进封测能力(SiP、FC-BGA等),存储芯片的垂直堆叠与新闻中多层单晶硅垂直集成技术高度契合,是3D集成最先落地的存储领域核心标的。
公告明确提及凸块制造(Bumping)、硅通孔(TSV)、混合键合(Hybrid bonding)、三维芯片集成(2.5D/3D)、扇出型封装(FOWLP)等先进封装技术。其中TSV和混合键合正是多层单晶硅垂直集成的核心工艺环节,公司在该领域具备量产能力。
国内刻蚀和MOCVD设备龙头。MOCVD是化合物半导体材料外延的核心装备,刻蚀设备用于3D IC中硅通孔(TSV)和薄膜图案化加工。半导体设备收入100%,5日主力资金净流出约7.7亿元。多层单晶硅外延生长需要高精度薄膜沉积设备,公司是核心受益设备商。
公告显示公司重点攻关'扇出型晶圆封装模具设计及制造关键技术',已入选安徽省揭榜挂帅任务名单。产品涵盖晶圆级塑封设备、压缩成型塑封专用装备。半导体设备及器件收入占比81.2%,是国内先进封装专用设备领域的稀缺标的。
公告显示公司产品覆盖先进封装凸块、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)、扇出工艺的电化学镀铜/镍/锡/银/金等工艺。TSV电镀是3D垂直集成的关键填充步骤,公司具备55nm至28nm及以上节点的电化学沉积设备能力,直接服务于3D IC制造。
国内最大300mm半导体硅片企业之一,产品涵盖300mm抛光片及外延片。公司公告强调外延片相较于抛光片具有更低缺陷密度、可改善沟道漏电,是高性能集成电路的优选衬底。多层单晶硅垂直集成需要高质量外延硅片作为基础材料,公司是核心材料供应商。
国内少数具备晶体成长到外延生长全流程能力的硅外延片一体化制造商。公告披露正在推进8英寸多层梯度外延工艺研发。多层单晶硅垂直集成需要精确控制外延层掺杂和厚度,公司在该领域积累了国际先进水平的核心技术指标。
公告披露公司先进制程及先进封装设备产品线,涵盖刻蚀、薄膜沉积等关键环节设备,同时布局碳化硅长晶及加工设备(研磨、切割、减薄、抛光等)。减薄是3D芯片堆叠的核心工艺之一,公司在减薄设备端的布局直接对应多层垂直集成需求。
国内导热材料龙头,导热材料收入占比97.6%。3D芯片垂直集成带来的功率密度倍增使散热成为核心挑战,公司提供热管理材料、均热板/热管、散热模组等整体解决方案。3D IC若实现商业化,导热散热材料需求将大幅增长。
公告披露已进入长电科技、通富微电等头部封测企业供应链。环氧塑封料收入占比93.5%,3D IC封装对塑封料的导热性、可靠性要求更高,公司作为核心封装材料供应商直接受益于先进封装产能扩张。
公告明确提及三维立体封装(3D)、2.5D/3D封装(以CoWoS技术为核心)、TSV、Chiplet异构集成等先进封装技术方向。华南最大内资集成电路封测企业之一,掌握高密度大矩阵集成电路封装技术,在三维封装领域具有技术积累。
集成电路封装材料收入16.2%,产品包括芯片级底部填充胶、Lid框粘接材料、导热界面材料等。3D堆叠芯片的层间粘接和热管理对封装材料提出更高要求,公司产品直接应用于倒装芯片与基板连接、芯片散热等关键环节。
公告披露年产集成电路硅材料用单晶硅1000吨以上扩产项目,单晶硅及硅片收入占比超97%。多层单晶硅垂直集成的底层材料需求驱动,公司作为国内老牌半导体硅材料供应商,具备从6英寸到12英寸硅片的完整产业化能力。
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