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新型高性能二维半导体材料研发获突破

国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破,相关成果在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。该技术有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。

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刚刚看到个挺有意思的消息,国防科技大学和中科院金属研究所联合搞了个大新闻,在新型高性能二维半导体材料这块取得了重要突破,已经在国际顶级期刊《国家科学评论》在线发表了。 说白了,这就是在半导体材料领域国产化进程又往前迈了一步。这次突破主要是在晶圆级生长和可控掺杂这两个关键技术上有了进展,意味着我们距离自主可控的后摩尔时代芯片又近了一些。 对行业的影响呢,首先直接利好半导体材料这个板块,特别是那些搞先进制程材料的国产公司。另外像国产算力芯片、GPU这些赛道也会受到情绪上的提振,毕竟材料是芯片的基础嘛。