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海外事件
2026-06-04 08:56
SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存
【SK海力士展出12层堆叠48GB HBM4E内存】《科创板日报》4日讯，SK海力士在COMPUTEX上展出了HBM4E 48GB 12Hi样品。这一内存应基于12层堆叠的32Gb 1c...
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SK海力士超高纯溅射靶材核心供应商。公告明确在韩国建设靶材生产基地重点覆盖SK海力士，超高纯靶材收入占比61.9%，是HBM制造中薄膜沉积工艺的关键材料供应商。
已正式进入SK海力士全球供应链体系；年报明确为HBM核心TSV硅通孔刻蚀提供高端特气，'直接受益于HBM爆发'。5日主力资金净流入2149万元。
A股稀缺的SK海力士授权分销商。旗下联合创泰拥有SK海力士全产品线代理资格（含HBM），电子元器件分销收入占94.2%，客户覆盖AI服务器等HBM核心应用场景。
已通过SK海力士认证的电子级磷酸/硫酸供应商。湿电子化学品是HBM晶圆制造刻蚀/清洗工序必需材料，集成电路客户收入占比84.6%，SK海力士是公司重要境外客户。
公告明确通过TSV硅通孔与硅中介层技术实现HBM与GPU高密度集成封测。存储封测覆盖FLASH/DRAM全品类，具备晶圆减薄与高堆叠封装能力。5日主力净流入14.1亿元。
子公司上海精测与客户签订4.32亿元销售合同，所售膜厚/OCD/电子束设备'应用场景主要为先进存储和HBM'。半导体检测收入占营收39.4%，卡位HBM量检测环节。
年报深入讨论HBM从HBM3E向HBM4演进的产业趋势，掌握16/32层叠Die、30μm超薄Die等先进封测技术，2.5D/Chiplet/RDL/Fanout封装覆盖先进存储芯片FOMS系列。
全球封测龙头，拥有2.5D/3D封装、TSV硅通孔等HBM必需先进封装技术。高密度存储封测领域深度布局，韩国和新加坡工厂服务全球存储客户，芯片封测收入占99.6%。
正在研发'HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发'项目，是国内少数独立布局HBM测试解决方案的第三方芯片测试服务商，募投项目聚焦高端封测产能。
DAF/CDAF固晶膜、芯片固晶材料是存储芯片堆叠封装中的关键粘接材料。年报明确适配HBM存储封装需求，集成电路封装材料收入占16.2%，紧跟堆叠超薄封装新工艺。
国内环氧塑封料龙头（年产销量突破25000吨，全球第二），颗粒状环氧塑封料GMC在存储器件领域取得突破，正在开发适配DRAM/NAND Flash存储芯片的环氧塑封料。
SK海力士是公司DRAM主要供应商，在募股说明书中将SK海力士列为关键原材料供应商。作为国产存储品牌龙头，DRAM产品线受益于SK海力士HBM技术迭代带动的行业景气。
等离子体刻蚀设备是3D NAND/DRAM堆叠及先进封装中高深宽比刻蚀的关键设备。HBM概念板块，半导体设备收入100%，覆盖存储芯片制造全流程刻蚀需求。
三维堆叠电镀设备Ultra ECP 3d专为TSV硅通孔和2.5D转接板铜填充设计，深宽比>10:1。HBM概念板块，TSV电镀是HBM堆叠工艺核心环节。
晶圆级TSV封装技术龙头，公告明确TSV硅通孔是AI芯片堆叠/光电共封的核心工艺，关注堆叠存储领域应用潜力。芯片封装收入占77%，技术对标HBM封装需求。
CMP设备用于先进封装与芯片堆叠，公告指出'先进封装与芯片堆叠技术迎来深层发展机遇'，CMP+减薄+划切成套方案覆盖HBM封装平坦化关键工序。
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