天风电子称存储缺货或延续至2030年，Q3合约价预期继续上涨
内存
闪存
高带宽存储器HBM
天风电子援引SK海力士董事长在台北的表态，声称内存芯片供应短缺可能持续至2030年。公司计划在未来五年内将存储晶圆产能翻倍，但短期内难以缓解供需紧张。2026年Q3 DRAM合约价预计上涨约30%，NAND涨幅或达60%-70%，原厂供货已实行配额制，部分紧缺型号无货可交。行业商业模式正从周期波动走向“长期缺货+长约锁利+供给约束”的跨周期盈利模式。
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14 只 · 按关联度排序
太
92%
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控股子公司海太半导体2025年7月与SK海力士正式签署《第四期后工序服务合同》，以'全部成本+约定收益'模式直接向SK海力士提供半导体后工序服务，是A股中与SK海力士绑定最深的公司。SK海力士缺货延续至2030年、产能翻倍扩产，海太半导体后工序服务量将直接受益。近4日主力资金净流入2.95亿元，资金面强势。
佰
88%
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国内存储模组龙头，嵌入式存储占营收60.9%、PC存储占32.7%，核心原材料为NAND Flash和DRAM晶圆，采购自SK海力士等原厂。2026年3月业绩预告明确表示'存储行业高度景气，DRAM/NAND价格持续上涨，公司受益显著'。新闻提及Q3 DRAM涨30%/NAND涨60-70%，将直接提升其毛利率与存货价值。
香
87%
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子公司联合创泰是SK海力士的授权代理商（拥有SK Hynix、MTK等一线品牌代理资格），电子元器件分销业务占营收94.2%。SK海力士缺货涨价+配额制下，代理稀缺存储芯片的分销毛利率将显著提升，且其客户涵盖互联网云服务等高端行业，议价能力强。
江
85%
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全球领先的半导体存储品牌企业，嵌入式存储占营收44%、固态硬盘24.5%、内存条9.7%，产品全面覆盖NAND和DRAM。公司直接向SK海力士、三星、美光采购晶圆，DRAM涨30%/NAND涨60-70%将直接提升产品售价与毛利率，库存增值效应显著。
北
83%
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通过收购ISSI切入DRAM市场，存储芯片营收占比高达61.4%（含DRAM、SRAM），是国内稀缺的DRAM芯片设计公司。DRAM合约价Q3预期涨30%，缺货延续至2030年，公司作为DRAM设计厂商直接受益涨价周期，利润弹性大。
华
82%
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已进入SK海力士全球供应链体系（年报明确披露），为HBM TSV刻蚀等先进制程供应高纯电子特气。2025年报指出'HBM市场546亿美元，产能缺口50-60%，SK海力士将70%新增产能投向HBM'，公司直接受益于SK海力士产能翻倍扩产带来的特气需求增量。
朗
82%
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闪存产品营收占比70.9%，覆盖SSD、DRAM内存条、嵌入式存储等。2025年年报直接引用CFM数据确认'存储产品合约价涨幅普遍超过30%，个别涨幅高达70%'，与新闻中Q3数据高度吻合。DRAM/NAND持续缺货涨价将直接驱动其营收与利润增长。
德
82%
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存储主控芯片设计+模组方案商，固态硬盘占营收42.5%、嵌入式存储占34%，存储业务占比100%。原材料NAND Flash/DRAM晶圆采购自SK海力士等原厂，涨价周期中模组售价提升快于成本增速，业绩弹性大，同时主控芯片自研带来成本优势。
兆
80%
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存储芯片营收占比71.3%（NOR Flash+利基型DRAM），NOR Flash全球市占率第二。新闻中存储缺货至2030年、涨价周期延续，将带动其利基型DRAM及NOR Flash产品价格同步上行，且公司MCU业务协同受益于存储生态扩张。
东
75%
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国内少数同时提供NAND Flash（65.2%）、DRAM（5.8%）、MCP（25%）的存储芯片设计公司。NAND与DRAM全线涨价直接拉动其营收增长，且国产替代趋势下公司份额有望提升。
澜
75%
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内存接口芯片占营收94.2%，DDR5内存接口为服务器内存模组标配芯片。SK海力士DRAM扩产+涨价周期中将增加DDR5出货量，带动内存接口芯片需求增长，且公司DDR5第二子代产品渗透率持续提升。
聚
72%
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存储类芯片（EEPROM）占营收87.6%，其SPD EEPROM是DDR5内存模组标配芯片，每一根DDR5内存条都需要一颗。DRAM扩产涨价带动DDR5模组出货量增长，直接拉动SPD EEPROM需求，公司已进入SK海力士内存模组供应链。
雅
68%
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半导体材料收入占比31.4%，产品包括前驱体、SOD等存储芯片制造关键材料，已进入SK海力士、三星等存储原厂供应链。SK海力士五年产能翻倍，将带动其半导体材料采购量持续增长。HBM概念+存储材料国产替代双轮驱动。