SK海力士1c DRAM良率升至80%，年内超半数产能将转换至该工艺
SK海力士10纳米第六代（1c）DRAM良率已升至80%，公司计划将EUV设备投资较原计划增加约三倍，年内将超半数DRAM产能转换为1c工艺，预计年底确保约19万片产能。该技术将应用于第七代高带宽内存HBM4E核心芯片，计划今年交付样品。英伟达预计明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器"Vera Rubin Ultra"，SK海力士此次技术突破和产能扩充意在满足头部客户下一代AI芯片需求。
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今天来聊聊存储芯片领域的一个大新闻。SK海力士最近在1c DRAM技术上取得了关键突破，良率已经攀升到80%了。说白了，这就是他们家10纳米第六代DRAM制程工艺已经成熟到可以大规模量产的阶段。
那这意味着什么呢？SK海力士计划把EUV光刻设备的投资直接翻三倍，年内要把超过一半的DRAM产能都切换到1c工艺。预计到年底能实现约19万片的月产能，这个规模相当可观。
更值得关注的是，这项技术会成为第七代HBM4E高带宽内存的核心芯片。HBM4E有多重要呢？它是AI服务器里最吃香的内存类型，直接关系到算力芯片的性能表现。
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