英伟达CEO黄仁勋密集释放重磅信号：内存短缺将持续数年，明日将发布公告并与三星副会长会面，另将与SK集团周一宣布合作计划
内存
高带宽存储器HBM
半导体
英伟达首席执行官黄仁勋于6月7日公开表示，内存（DRAM/HBM）短缺问题将持续数年；将于6月8日（明日）发布一些公告，并与三星副会长会面。另据韩国通讯社报道，黄仁勋与SK集团董事长崔泰源于6月8日（周一）宣布合作计划。
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控股子公司海太半导体以'全部成本+约定收益'模式为SK海力士提供半导体后工序服务，双方已签署覆盖2025.7.1-2030.6.30的第四期后工序服务合同，系公告披露的持续关联交易。内存短缺持续数年将刺激SK海力士扩产，海太半导体直接受益。近5日主力资金净流入4.17亿元，资金面强势。
华
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公司简介明确披露已进入SK海力士、三星等全球领先半导体企业供应链体系；高纯电子特气是HBM/DRAM制造的核心刚需耗材。内存短缺→存储厂扩产→电子特气需求增长。近5日主力资金净流入1.38亿元。
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兆
73%
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国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占比71.3%（含NOR Flash及DRAM研发）。黄仁勋明确表示内存短缺持续数年，存储芯片价格上行周期中设计企业直接受益，公司SPI NOR Flash全球市占率第二。