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宿迁联盛:拟设立合资公司从事磷化铟衬底业务

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【宿迁联盛:拟设立合资公司从事磷化铟衬底业务】宿迁联盛(603065.SH)公告称,公司与朱蓉辉、汇智光芯签署《合资意向协议》,拟共同出资1000万元设立合资公司,从事磷化铟衬底的研发生产销售。其中公司出资700万元,持股70%。项目计划分两期建设,一期固定投资1亿元,预期年产12万片4-6英寸磷化铟衬底;二期预计追加投资2亿元,产能扩充至40万片/年。本次投资尚需提交股东会审议,存在较大不确定性。

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宿 95%
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事件直接主体。拟出资700万元(持股70%)与朱蓉辉、汇智光芯设立合资公司从事磷化铟衬底的研发生产销售,一期投资1亿元年产12万片4-6英寸衬底,二期扩至40万片/年。公司主营光稳定剂(化工),跨界进入化合物半导体材料领域。近5日主力累计净流入5479万元。
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磷化铟衬底同赛道直接竞争对手。子公司云南鑫耀半导体2026年4月公告实施"高品质磷化铟单晶片建设项目",总投资1.8856亿元,扩产后年产45万片(折合4英寸)磷化铟单晶片。2025年报显示化合物半导体材料收入占比12.9%,已实现规模化量产。
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磷化铟衬底的直接下游客户。2026年3月公告通过子公司兆驰半导体建设"年产1亿颗光通信半导体激光芯片项目",明确建设"砷化镓、磷化铟化合物半导体激光晶圆制造生产线",已实现25G DFB芯片试产。磷化铟衬底是激光芯片关键材料。近5日主力累计净流入5329万元。
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磷化铟衬底的重要下游用户。光芯片IDM企业,2025年报披露"基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的光芯片"为核心方向,磷化铟衬底是制造光芯片的基础材料。数据中心产品收入占比65.4%,衬底国产化有利于供应链安全。近5日主力累计净流入1.42亿元。
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2025年报指出光调制核心技术聚焦"硅光(SiPh)、磷化铟(InP)和铌酸锂"三大材料平台,磷化铟是1.6T以上超高速光通信调制器芯片的核心技术路线之一。公司产品包括基于InP的光调制器芯片及器件,是磷化铟衬底在光通信领域的直接使用者。
70%
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磷化铟衬底上游原材料供应商。铟是磷化铟衬底的核心元素,公司铟金属保有资源量3332.25金属吨(广西第一),2025年铟锭产量21.21吨。磷化铟衬底扩产将带动上游高纯铟需求,但铟锭收入占比仅1.1%,业绩弹性有限。