扬杰科技：拟变更部分募集资金投资项目
碳化硅
【扬杰科技：拟变更部分募集资金投资项目】扬杰科技公告，鉴于公司越南工厂一期已满产，海外研发中心、渠道均已布局到位，为切实提高募集资金使用效率，公司拟将2023年发行的全球存托凭证募集资金投资项目“发展功率元件业务，包括建设小信号产品、硅基及碳化硅SBD、MOSFET等产品的封装”项目、“海外研发中心和全球销售及售后服务网点建设”项目结项，剩余的募集资金用于公司正在实施的投资项目“车规级功率半导体模块封装项目”和“AI基础设施用功率器件生产线技术改造项目”。变更用途的募集资金截至2026年5月31日共计1.25亿美元（含利息和现金管理收益）。
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扬
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事件直接主体。拟将1.25亿美元募集资金变更投向"车规级功率半导体模块封装项目"和"AI基础设施用功率器件生产线技术改造项目"。2025年报显示首条SiC车规级功率模块封装项目已建成投产，获多家Tier1客户订单，功率器件收入占比87.8%。
斯
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国内IGBT模块龙头（全球第五），IGBT模块收入占比83.6%。可转债募投项目"车规级SiC MOSFET模块制造项目"和"车规级GaN模块产业化项目"与扬杰科技募投方向高度重合，同处车规功率模块赛道。
新
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MOSFET/IGBT功率器件领军企业，功率器件收入占比95.6%。2025年报明确"AI服务器功率半导体需求占约70%，MOSFET、IGBT、SiC产品广泛用于AI服务器及数据中心电源"，与扬杰AI基础设施功率器件方向直接对应。近5日主力净流入2.7亿元。
时
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央企功率半导体IDM龙头，同时掌握IGBT和SiC技术，拥有8英寸IGBT和SiC产业化基地。乘用车功率模块2025年装机量行业第二、市占率13.8%，与扬杰科技在车规功率模块赛道正面竞争。
士
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国内IDM龙头，6吋SiC功率器件芯片生产线处于爬坡期，成都士兰建有功率模块封装产线。锴威特年报指出"士兰微通过车规级IGBT量产实现份额突破"，与扬杰科技共享车规功率半导体景气红利。
东
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高性能功率器件（超级结MOSFET）企业，功率半导体产品收入占比95.3%。产品应用于数据中心服务器电源、新能源汽车等，公告明确数据中心和新能源为重点方向，与扬杰AI基础设施功率器件投向一致。
天
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全球导电型碳化硅衬底前三（日本富士经济2025），碳化硅衬底收入占比99.6%。已与全球前十大功率半导体制造商半数以上建立合作。扬杰SiC芯片产线已量产爬坡，天岳作为上游衬底供应商直接受益。
思
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模拟芯片平台（信号链+电源管理），电源管理芯片收入占比34.1%。2025年报指出"AI服务器需求持续释放，相关模拟器件市场空间同步扩大"，AI服务器电源管理芯片与扬杰AI基础设施功率器件方向逻辑共振。
华
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国内功率半导体IDM龙头，产品覆盖MOSFET、IGBT、SiC、GaN全品类。锴威特年报等多次提及"华润微通过车规级IGBT量产实现份额突破"，产品与方案板块收入占比54.5%，直接受益于车规模块和AI功率器件景气度。