SK海力士股价创盘中纪录新高 下一代AI内存芯片样品已向客户交付
高带宽存储器HBM
【SK海力士股价创盘中纪录新高 下一代AI内存芯片样品已向客户交付】财联社6月18日电，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨5.6%，创盘中纪录新高，此前这家芯片制造商表示已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。
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太
92%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》(2025年6月公告)，以全部成本+约定收益模式向SK海力士提供半导体后工序服务，合同期限至2030年6月。半导体业务占公司营收15.3%、利润26.0%，是A股中与SK海力士业务绑定最直接的后工序服务商。
江
88%
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公司公告明确列明SK海力士为其核心客户之一（2025年报），是国内领先的超高纯溅射靶材供应商，已通过SK海力士严格认证并批量供货。超高纯靶材收入占比61.9%，国外收入占比34.1%。HBM4E扩产将直接拉动对上游溅射靶材的采购需求。
香
88%
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子公司联合创泰拥有SK海力士正式授权代理资格（商络电子公告明确提及），分销SK海力士DRAM等产品。电子元器件分销收入占比94.2%，概念板块含HBM/高带宽存储器。HBM4E进入量产阶段将带动其分销业务量价齐升。近5日主力资金净流入约25.9亿元。
兴
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公司电子级磷酸、电子级硫酸等湿电子化学品已通过SK海力士认证（2025年报），产品应用于集成电路湿法工艺制程。集成电路业务收入占比84.6%。HBM4E扩产将增加高纯度湿电子化学品的采购需求，公司在SK海力士供应商名单内直接受益。
德
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年报明确将HBM、CoWoS先进封装列为行业核心增长驱动力（2025年报），产品覆盖晶圆UV膜、固晶材料、底部填充胶等先进封装全流程关键材料，可满足HBM所需的TSV、2.5D/3D封装需求。概念板块含高带宽存储器HBM，集成电路封装材料收入占比16.2%。
澜
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全球内存接口芯片龙头，第二子代MRCD/MDB芯片已向全球主要内存厂商送样（2025年报），最高支持12800MT/s速率，为下一代AI计算平台提供高带宽内存互连方案。内存接口芯片收入占比94.2%。近5日主力资金净流入约1.67亿元。
佰
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与SK海力士等存储晶圆原厂签订长期合作协议（2025年报），采购DRAM晶圆用于自主存储产品。公司具备先进封装能力，子公司泰来科技专精存储器封测及SiP封测，芯成汉奇晶圆级先进封测项目正推进中。概念板块含HBM/高带宽存储器。
龙
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国内稀缺独立第三方半导体掩模版厂商，年报明确指出CoWoS为代表的2.5D/3D异构集成技术与HBM高带宽内存的融合将带动先进封装专用掩模版需求爆发（2025年报）。石英掩模版收入占比83.2%，是HBM先进封装产业链上的关键材料配套环节。
神
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半导体级单晶硅材料供应商，年报详细分析SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上、重点投向HBM工厂建设（2025年报），并指出HBM三维堆叠对TSV工艺和刻蚀应用提出更高要求。硅零部件收入占比54.1%，受益于HBM大规模扩产。
汇
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先进封装测试服务商，年报指出以TSV、Fan-Out为代表的先进封装技术因HBM、Chiplet等前沿领域发展而迎来爆发性增长（2025年报）。公司聚焦显示驱动芯片封测（收入占比88.6%），HBM推动的先进封装行业景气上行对其有间接带动作用。