财联社6月23日电，韩国KOSPI指数日内跌超4%，现报8748.06点。三星电子跌超4%，SK海力士跌逾5%。
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财联社6月23日电，韩国KOSPI指数日内跌超4%，现报8748.06点。三星电子跌超4%，SK海力士跌逾5%。
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太
90%
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署第四期后工序服务合同（2025.7-2030.6），以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序服务。半导体业务占太极实业收入的15.3%，海力士是核心客户。SK海力士股价跌逾5%直接反映其客户需求预期风险。
华
88%
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公司档案明确载明已进入三星电子、SK海力士全球领先半导体企业的供应链体系，电子特气是3D NAND、DRAM、HBM制造的核心耗材。特种气体收入占比65.1%，两大韩国客户股价同步暴跌直接影响其海外业务预期。
香
88%
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子公司联合创泰拥有SK海力士（SK Hynix）和MTK联发科等一线品牌一级代理资格。电子元器件分销收入占比94.2%，SK海力士为其核心上游供应商。海力士股价跌逾5%直接影响其分销业务的采购成本与库存估值预期。
大
85%
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2025年报明确披露"在使用三星、海力士等国际存储企业产品方案"，半导体存储芯片收入占比89.8%（利润占比61.1%）。三星和海力士是其核心上游存储颗粒供应商，二者股价暴跌直接反映供应端的不确定性和成本压力。
商
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公告显示Samsung（三星电机）为公司百余项国内外知名原厂授权代理资质之一。代理产品包括电容、电感、存储器件等，三星电机是三星集团旗下核心元器件子公司，与新闻中三星电子同属三星集团，股价暴跌影响代理业务预期。
兆
82%
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国内存储芯片龙头，SPI NOR Flash全球市占率第二，存储芯片收入占比71.3%。韩国三星/SK海力士（全球DRAM+NAND龙头）若持续走弱，将加速国产存储替代进程，直接利好NOR Flash、利基型DRAM、SLC NAND等国内存储产品线。
佰
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国内半导体存储器厂商，嵌入式存储收入占比60.9%，PC存储占32.7%，获国家大基金二期投资。HBM概念股，年报详细讨论国产DRAM/NAND份额仅5-10%的替代空间。韩国存储巨头若走弱将加速其国产替代进程。
江
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全球领先的半导体存储品牌企业，100%收入来自存储业务（嵌入式存储44%、固态硬盘24.5%、移动存储21.5%）。三星/SK海力士作为全球存储龙头，其股价暴跌反映的市场担忧正是国产存储品牌加速替代的机遇。
普
80%
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公司档案明确载明NOR Flash和EEPROM产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等品牌，三星是其重要下游客户。若三星因韩国市场危机缩减采购，将直接影响普冉股份的出货预期；同时也受益于存储国产替代逻辑。
神
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年报披露大直径硅材料通过日韩零部件厂商最终销售给三星电子和台积电等国际知名集成电路制造厂商，已扎根国际半导体供应链。公司99.5%收入来自半导体行业。三星若缩减产能将间接影响其材料需求预期。
德
78%
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国内存储主控芯片设计及模组厂商，100%收入来自存储业务。年报强调国产DRAM份额不足5%、NAND不足10%，长鑫/长江存储加速国产化。三星/海力士若走弱将加快国产存储方案导入，利好其存储主控与模组业务。
通
78%
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国内封测龙头，募投项目明确建设存储芯片封测产能，响应国产替代战略。集成电路封测收入占97.6%。三星/SK海力士股价暴跌若推动存储产业链向国内转移，将增加对国产封测产能的需求，公司直接受益。
精
78%
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半导体存储器件测试业务收入占比55.6%，深耕存储器测试设备领域，HBM概念股。年报分析AI驱动HBM/DRAM需求结构性紧张。韩国存储巨头若走弱，国内存储客户扩产将带动其测试设备需求增长。
上
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为3D NAND/DRAM存储芯片制造开发蚀刻液系列产品，包括氮化硅/钛蚀刻等，集成电路材料收入占76.3%。存储芯片材料国产替代核心标的，韩国存储企业若走弱将加速国产材料导入进程。
微
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国内ALD与高端CVD设备主要供应商，设备已广泛应用于国产存储芯片量产线，对3D DRAM、3D NAND技术迭代具关键支撑。半导体设备收入占33.5%。存储国产替代加速直接拉动其设备订单增长。