英飞凌将于7月1日起对部分产品实施价格调整，功率半导体新一轮涨价潮蓄势待发，AI服务器与储能需求驱动行业高景气
IGBT
碳化硅
第三代半导体
海外头部功率半导体厂商当前交期已长达半年至一年不等，英飞凌将于2026年7月1日起对部分产品实施价格调整，预示新一轮功率涨价潮启动。AI服务器对电源密度的高需求带动电源管理芯片供不应求，功率板块的AI敞口有望从当前中个位数提升至2030年15%-20%甚至更高水平。以东微半导为代表的国内厂商具备显著优势：公司自研TGBT、新一代高压超级结MOS，专攻大功率电源场景，在AI服务器、储能、充电桩等大功率器件领域优势突出，产品耐压等级高、稀缺性强，涨价幅度仅次于车规IGBT。东微半导已完成HVDC AIDC全链条SiC产品布局规划，覆盖AC-DC前端PFC、板载DC-DC、断路器等全应用节点，并深度绑定头部算力整机客户。伴随规模化量产落地，远期器件综合成本有望大幅下降，加速国产SiC在高端智算中心供应链的替代渗透。
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13 只 · 按关联度排序
东
93%
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新闻直接点名标的。公司自研TGBT、新一代高压超级结MOSFET，专攻AI服务器大功率电源、储能、充电桩，已完成HVDC AIDC全链条SiC产品布局（AC-DC前端PFC、板载DC-DC、断路器），深度绑定头部算力整机客户。功率半导体收入占比95.3%，涨价弹性仅次于车规IGBT。
斯
88%
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国内IGBT绝对龙头，根据Omdia 2023年报告全球IGBT模块排名第五，直接与英飞凌竞争。IGBT模块收入占比83.6%，布局车规级SiC MOSFET模块及GaN模块产业化项目。英飞凌涨价为国产IGBT龙头打开价格空间，加速替代。近4日主力资金净流出2.76亿，市场尚未充分反应。
新
85%
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国内MOSFET/IGBT功率器件设计领军企业（连续多年列中国半导体功率器件十强），功率器件收入占比95.6%。年报明确IGBT单管及模块占光伏逆变器价值量15%-20%，储能变流器核心器件供应商，充电桩大功率应用场景直接受益。近4日主力净流入7353万，资金率先布局。
宏
85%
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公告明确受益：2025年全球智算投资加码驱动AI服务器电源需求，公司持续丰富IGBT/MOSFET/FRD及SiC/GaN产品组合，重点布局AI服务器电源、人形机器人关节控制等新兴赛道。IGBT模块收入占比76.7%，功率半导体器件收入占99%。行业景气度回升直接受益。
天
85%
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全球导电型碳化硅衬底材料稳居全球前三（日本富士经济2025年报告），与全球前十大功率半导体器件制造商中一半以上建立合作。碳化硅衬底收入占比99.6%，是SiC功率器件产业链最核心的上游材料。英飞凌涨价加速SiC国产替代，衬底需求爆发在即。
闻
83%
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旗下安世半导体是全球功率半导体IDM龙头，产品涵盖MOSFET、二极管、ESD保护器件、氮化镓等，与英飞凌在汽车和工业市场直接竞争。半导体业务贡献利润89.6%，客户遍布汽车、通信、消费、工业领域。英飞凌涨价为安世半导体同类产品打开提价空间。
华
83%
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中国本土综合性功率半导体IDM龙头，产品覆盖MOSFET、IGBT、功率二极管、SiC、GaN全品类，芯片设计+晶圆制造+封测全产业链。产品与方案收入占54.5%，制造与服务占43.4%。与英飞凌在功率器件多领域正面竞争，涨价潮下产能利用率提升直接增厚利润。
士
82%
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国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)企业之一，器件收入占比48.9%（含IGBT/MOSFET），集成电路37.7%。已建立从5吋到12吋的完整产线并拓展至SiC化合物产线。涨价潮下12吋产线爬坡带来的产能红利与价格上行形成双击。
扬
82%
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功率器件全品类IDM企业，半导体功率器件收入占比87.8%，涵盖MOSFET/IGBT/SiC SBD/SiC JBS等产品。持续加大SiC、IGBT研发投入，形成多电压平台协同推进。英飞凌涨价直接利好国内功率器件替代加速，公司海外收入占23.1%亦受益全球涨价。
锴
78%
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国内少数具备650V-3300V SiC MOSFET全电压段设计能力的企业，部分产品性能可对标英飞凌同类产品。年报显示功率器件+功率IC收入占比96.5%，SiC器件市场2026年预计达89亿美元，产品在高端领域逐步实现国产替代。
时
76%
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中车旗下IGBT功率半导体核心平台，布局SiC MOSFET模块，新兴装备（含功率器件）收入占比44.5%。近年IGBT模块从轨道交通向新能源发电、新能源汽车领域快速渗透，与英飞凌在车规级IGBT/SiC市场直接竞争，受益涨价周期及国产替代。
台
75%
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国内大功率半导体器件领先供应商，产品涵盖大功率晶闸管、IGBT、电力半导体模块，在电机驱动控制和特种电源领域保持领先优势。2025年营收和净利润同比增长，功率半导体景气回升推动业绩改善。英飞凌涨价带动全行业价格上行。
民
72%
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2026年2月定增募资10亿元投向特色高压功率半导体晶圆代工项目（IGBT/特高压VDMOS/700V BCD），聚焦AI数据中心大功率电源、特高压等应用场景，规划月产能6万片。当前功率半导体收入占比10.8%体量较小，但定增方向精准契合新闻所述AI服务器电源需求。