捷捷微电：目前有少量碳化硅器件的封测 该系列产品仍在持续研究推进过程中
碳化硅
第三代半导体
【捷捷微电：目前有少量碳化硅器件的封测 该系列产品仍在持续研究推进过程中】捷捷微电在互动平台表示，公司目前有少量碳化硅器件的封测，该系列产品仍在持续研究推进过程中，尚未进入量产阶段。
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15 只 · 按关联度排序
捷
95%
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新闻主体公司。2025年报显示主营功率半导体分立器件（64%）和芯片（34%），产品包括碳化硅器件。公司互动平台确认已有少量碳化硅器件封测，虽尚未量产但在持续推进。近4日主力累计净流入1.05亿元，资金面积极。
天
90%
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国内碳化硅衬底绝对龙头，2025年报显示碳化硅衬底收入占比99.6%，是国内少数可量产8英寸SiC衬底的公司。捷捷微电做SiC器件封测需采购衬底材料，天岳先进是其核心上游供应商。
斯
90%
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国内IGBT/SiC模块龙头，2025年报披露已量产SiC MOSFET芯片及模块，产品用于新能源汽车电驱。相比捷捷微电SiC器件尚未量产，斯达半导已批量出货，是SiC功率器件赛道已商业化的直接竞品。
晶
88%
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SiC产业链关键设备+材料双布局。2025年报披露6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代、市占率领先；SiC衬底已实现6-8英寸规模化量产，12英寸研发取得突破。近4日主力累计净流入1.13亿元。
扬
88%
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国内功率器件龙头，2025年报披露产品含碳化硅SBD、碳化硅JBS，越南封装基地已量产SiC相关产品。年报确认正推进"硅基及碳化硅SBD、MOSFET"项目，在SiC器件量产进度上领先捷捷微电。
新
85%
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国内MOSFET设计龙头，连续多年"中国半导体功率器件十强"。2025年报披露产品含SiC MOSFET，已率先在12英寸平台量产沟槽型MOSFET。与捷捷微电同属功率半导体赛道，SiC产品布局更早。
三
85%
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化合物半导体IDM龙头，子公司三安集成是国内SiC MOSFET/SBD重要量产玩家。2025年报显示集成电路芯片收入16.2%，涵盖SiC功率器件，构建了从衬底到器件的垂直产业链，是SiC器件领域最全面的竞争者。
晶
83%
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专注于晶体生长设备，核心产品包括碳化硅单晶炉、碳化硅外延炉。2025年报披露正推进8英寸SiC外延设备及双腔SiC外延炉开发，是SiC产业链关键设备商。捷捷微电SiC器件的上游衬底依赖其晶体生长设备。
芯
80%
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功率半导体设计公司，2025年报明确将碳化硅（SiC）列为产品系列之一，产品涵盖MOSFET、SiC等，广泛应用于移动终端、汽车电子等领域。与捷捷微电同属功率器件赛道，SiC产品布局形成直接竞争。
合
80%
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投资72亿元建设"合盛新能源高端制造产业园"，涵盖碳化硅衬底、外延、器件制造及年产120万块功率器件模组项目（38亿元）。依托现有碳化硅粉料、衬底、外延量产线优势，打造SiC全产业链。
纳
78%
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2025年报明确产品含SiC二极管及MOSFET，同时提供驱动MOSFET、IGBT、SiC、GaN等功率器件的栅极驱动芯片。既是SiC器件参与者，也为SiC器件系统应用提供关键配套驱动方案。
露
75%
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募投项目已建成6英寸导电型碳化硅衬底片生产线，是SiC衬底环节的重要参与者。虽然行业短期供需错配致扩产节奏放缓，但其SiC衬底产线可直接服务于捷捷微电等SiC器件厂商的衬底需求。
盛
73%
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半导体清洗设备龙头。2025年报披露其CMP后清洗设备和Final Clean清洗设备已用于高质量碳化硅衬底制造，支持6/8/12英寸晶圆清洗。是SiC衬底制备环节的关键设备供应商。
高
72%
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高硬脆材料切割设备龙头。2025年报将碳化硅切割设备列为核心布局方向，SiC衬底片需经其切割设备加工，年报详细分析了碳化硅单晶材料从衬底到器件的全流程，是SiC产业链切割环节核心标的。