汇丰：SK海力士美国上市计划是利好 目标价上调38%至400万韩元
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【汇丰：SK海力士美国上市计划是利好 目标价上调38%至400万韩元】汇丰分析师Ricky Seo和Han Kil Chang表示，SK海力士计划中的美国存托凭证上市可能会获得20%的溢价，他们认为此举是利好。他们在一份报告中写道，受不断上涨的存储芯片价格和飙升的NAND闪存利润率支撑，这家韩国半导体公司也料将交出又一个强劲的财季业绩。汇丰的分析师重申对该股的买入评级，该股现在是汇丰覆盖的全球存储企业中的首选。其目标价上调38%，至400万韩元。该股大涨13%，收于291.7万韩元。
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14 只 · 按关联度排序
太
93%
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控股子公司海太半导体是SK海力士第二大股东（持股45%），2025年7月签署《第四期后工序服务合同》，以"全部成本+约定收益"模式为SK海力士提供半导体后工序封测服务，合同期至2030年6月，业务高度绑定SK海力士DRAM/NAND产能扩张。近5日主力净流入约9.8亿元。
江
90%
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超高纯溅射靶材核心供应商，公告明确将SK海力士列为台积电、中芯国际并列的重要客户，产品应用于SK海力士DRAM及3D NAND制造工艺。靶材占营收61.9%，SK海力士2026年资本支出增至30万亿韩元以上扩产，直接拉动靶材消耗量。
香
88%
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电子元器件分销平台拥有SK海力士（SK Hynix）中国区授权代理资格，代理产品线包括DRAM和NAND Flash颗粒，客户覆盖互联网云服务及移动通讯行业。2025年年报显示电子元器件分销收入占比94.2%，SK海力士存储涨价直接增厚分销利润。近5日主力净流入约2.82亿元。
华
87%
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特种气体已进入SK海力士全球供应链体系，年报明确写道公司为"HBM核心TSV刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发"。2026年HBM市场规模达546亿美元（同比增长58%），SK海力士将70%新增产能投向HBM，公司光刻及混合气体业务占比22%。
雅
86%
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半导体前驱体材料（UP Chemical）是SK海力士薄膜沉积工艺核心供应商，2024年报明确披露与"SK海力士半导体（中国）有限公司、SK海力士系统集成电路（无锡）有限公司拥有稳定的合作关系"。半导体材料收入占比31.4%，SK海力士扩产直接拉动前驱体需求。
神
85%
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硅零部件产品已进入SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂，产销量位居本土厂商前列。年报引用SK海力士2026年销售额预计突破165万亿韩元、资本支出增至30万亿韩元以上，公司硅零部件收入占比54.1%，直接受益于产能扩张带来的备件需求。
兴
84%
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湿电子化学品已通过SK海力士多种产品认证，年报披露其电子级磷酸、电子级硫酸等产品获得SK海力士等境内外主流晶圆厂认证。公司集成电路行业收入占比84.6%，SK海力士扩产带动湿电子化学品消耗量持续增长。
澜
82%
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内存接口芯片全球龙头，公告披露与三星电子、SK海力士等内存厂商合作推出CXL内存产品，并开发DDR5 MRDIMM高带宽内存模组方案。内存接口芯片占收入94.2%，SK海力士DRAM涨价和HBM放量带动DDR5渗透率提升，间接拉动公司内存接口芯片出货。
佰
80%
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存储模组厂商，与主要NAND及DRAM晶圆原厂（含SK海力士）签订长期协议保障晶圆供应。年报指出SK海力士是全球DRAM市场33.2%份额的最大厂商。嵌入式存储收入占比60.9%，存储涨价周期中库存价值重估弹性大，直接受益于SK海力士引领的涨价趋势。
江
78%
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全球领先的半导体存储品牌企业，公告中明确列示SK海力士为重要供应商，向SK海力士采购DRAM及NAND Flash晶圆。2025年报引用SK海力士作为主要DRAM原厂的市场格局分析。嵌入式存储收入占比44%，固态硬盘占24.5%，存储涨价直接改善利润。
德
77%
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存储模组企业，公告披露前五大供应商采购占比超60%，主要向三星、SK海力士、美光等存储晶圆原厂采购DRAM和NAND Flash晶圆。固态硬盘收入占比42.5%、嵌入式存储占34%，SK海力士推动的存储价格持续上涨利好公司产品售价和毛利率。
联
74%
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数据存储主控芯片龙头（收入占比87.6%），公告指出三星、SK海力士等合计占据全球企业级SSD市场90%以上份额，存储行业景气度提升带动主控芯片需求。SK海力士NAND闪存利润率飙升及存储涨价周期，间接拉动公司主控芯片出货。
华
73%
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半导体封装材料（环氧塑封料）供应商，公告提到Chiplet、HBM等先进封装技术对封装材料提出更高要求，产品广泛应用于存储芯片封装。环氧塑封料收入占比93.5%，HBM3E/HBM4向更复杂堆叠结构演进增加单位材料消耗量，受益于HBM产能扩张。
上
72%
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半导体材料企业，自主开发的TSV（硅通孔）电镀材料是HBM先进封装核心工艺材料，公告指出TSV技术通过与2.5D/3D封装融合成为推动芯片性能跃升的关键路径。公司还开发用于3D NAND/DRAM制造的蚀刻液系列产品，集成电路材料收入占比76.3%。