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高通计划将数据中心芯片技术引入智能手机 提升端侧AI能力

高带宽存储器HBM 人工智能 芯粒Chiplet
【高通计划将数据中心芯片技术引入智能手机 提升端侧AI能力】高通公司执行副总裁杜尔加·马拉迪表示,公司计划将本周新发布的数据中心芯片技术应用于智能手机,以提升移动设备本地AI运行能力。高通新推出的高带宽计算(HBC)架构采用芯片垂直堆叠设计,将内存与计算单元紧密集成,可显著提升数据传输速度与效率。该架构第一代产品将于明年在数据中心推出,预计2028年实现商业化供货。马拉迪表示,“数据中心的技术不会止步于此”,公司目前正与智能手机、个人电脑及汽车制造商就相关技术展开洽谈。

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2025年年报披露公司采购的基带芯片、射频芯片等原材料'供应商主要为原厂高通',并基于高通5G调制解调器及射频系统推出覆盖1T~50T的全矩阵AI模组'星云'系列。高通HBC架构下放智能手机直接提升其模组方案的端侧AI能力,属高通核心芯片采购方和生态伙伴。
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2025年业绩预告披露推出'全球首颗3D架构端侧算力协处理器RK182X',采用3D垂直堆叠架构解决端侧大模型带宽与功耗瓶颈,已导入数百个客户项目。该产品技术路线与高通HBC垂直堆叠设计方向直接对标,是端侧AI SoC领域的国产替代竞争标的。智能应用处理器芯片营收占比89.2%。
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2026年定增文件披露公司'以晶圆减薄与高堆叠封装能力为核心技术',存储芯片封测可满足大容量、高速度、高堆叠要求,并指出先进封装技术可应用于智能手机SoC等核心芯片。高通HBC采用芯片垂直堆叠设计,通富微电的多层堆叠封装能力是该架构落地的关键封测环节。
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2026年1月公告子公司普诺威投资10亿元建设'端侧功能性IC封装载板项目',明确表示'把握端侧芯片快速发展带来的市场机遇'。IC载板是HBC垂直堆叠封装的核心基板材料,公司IC载板业务营收占比7.5%,该投资直接受益于端侧AI芯片先进封装需求增长。
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全球封测龙头,2025年年报披露拥有2.5D/3D封装、系统级封装(SiP)等先进封装技术,广泛应用于智能终端、高性能计算等领域。HBC架构的芯片垂直堆叠依赖2.5D/3D先进封装工艺,长电科技作为国内最大半导体封测企业(芯片封测营收占比99.6%),直接受益于端侧AI芯片封装技术升级。