韩国官员：预计在五年内将DRAM生产能力翻倍 预计全球内存市场将在5年内增长四倍
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【韩国官员：预计在五年内将DRAM生产能力翻倍 预计全球内存市场将在5年内增长四倍】财联社6月29日电，韩国官员称，预计在五年内将DRAM生产能力翻倍，预计全球内存市场将在5年内增长四倍。
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澜
93%
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全球DDR5内存接口芯片龙头，内存接口芯片收入占比94.2%，海外收入71.5%。2025年报明确披露三星电子、SK海力士、美光科技三大DRAM原厂是其主要下游客户，并持续获得三星、SK海力士颁发的优秀供应商奖项。CXL MXC芯片与三星电子、SK海力士同批入选CXL 2.0合规供应商清单，受测产品均搭载了澜起MXC芯片。韩国DRAM产能翻倍直接拉动其芯片出货量，因果关系明确。
聚
87%
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全球DDR5 SPD（串行检测集线器）芯片核心供应商，2025年报披露为全球DDR2/3/4/5 SPD系列芯片核心供应商，是业内少数具备向主要内存模组厂商直接供应配套芯片资质的企业之一。存储类芯片收入占比87.6%，海外收入53.5%，在韩国设有子公司。DDR5内存模组每根需配套一颗SPD芯片，韩国DRAM扩产将直接拉动其SPD芯片需求。
佰
82%
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半导体存储研发封测一体化厂商，2025年报披露与三星、SK海力士等主要DRAM晶圆原厂签订长期采购协议，海外收入占比53.4%。DDR5内存模组和LPDDR5X出货量持续攀升。韩国DRAM产能翻倍将增加其上游晶圆供给弹性，全球内存市场5年增长4倍直接扩大其存储模组产品市场空间，形成双重受益。
兆
77%
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国内存储芯片设计龙头，拥有利基型DRAM产品线（DDR3L/DDR4/LPDDR4），2025年报将DRAM列为核心产品方向。存储芯片收入占比71.3%，海外收入69.5%。全球内存市场5年增长4倍的行业指引直接利好其DRAM业务发展，韩国DRAM产能扩张也有助于增加晶圆代工资源选择及产业链协同。
雅
76%
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半导体前驱体材料核心供应商，2025年报披露其产品广泛运用于DRAM内存芯片等先进制程。公司已构建中国和韩国双研发部门，跟踪半导体前驱体前沿技术，海外收入占比24.7%。韩国DRAM扩产将大幅增加前驱体材料消耗，作为在中韩均有研发和产能布局的材料供应商有望直接受益。