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韩国官方宣布三星和海力士将启动十年大规模投资计划,进一步验证存储超级周期的持续性。此外,周末苹果寻求采购长鑫存储芯片的消息提振国内产业链预期。国内半导体资本开支同步加速,存储刻蚀核心耗材...
长鑫存储战略合作伙伴,2026年预计向长鑫集团采购DRAM代工服务8.25亿美元(约57.11亿元),双方基于战略合作关系开放产能代工(2026-03-31关联交易公告)。存储芯片收入占总营收71.3%,SPI NOR Flash全球市占率第二。苹果采购长鑫芯片将直接拉动公司利基型DRAM业务需求与产能利用率。
硅零部件产品终端主要应用于存储芯片制造厂的等离子刻蚀工艺中,是需要定期更换的核心耗材(2025年报原话),直接对应新闻中"存储刻蚀核心耗材国产化率仅约10%"。已进入中国主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备厂供应链,硅零部件收入占比54.1%。国泰海通2026-04-21研报称其为"存储刻蚀核心耗材龙头"。
2025年报明确提及"AI驱动存储超级周期+3D NAND/HBM技术迭代+国产存储扩产,三重共振下电子气体将迎来确定性高增长空间"。已解决合肥长鑫等多家存储客户气体材料进口制约,并进入三星、SK海力士、美光等全球存储龙头供应链,国内8寸以上IC制造厂客户覆盖率超90%。
2025年报明确表示"为紧抓存储行业超级大周期与高成长性共振的历史性机遇"。长鑫存储是公司主要DRAM晶圆采购原厂之一(年报披露)。2025年营收同比+68.72%,归母净利润同比+437.56%。国投证券2026-04-29研报称公司"受益存储超级周期"。存储封测一体化+AI端侧存储产品2026Q1收入约11.75亿元。
2025年报披露超高纯钨靶材是存储芯片的"金属骨架",在3D NAND工艺中作为薄膜种子层。通过产业基金投资睿力集成电路(长鑫存储主体),长鑫为公司下游客户(保荐书披露)。超高纯靶材收入占比61.9%,存储扩产直接拉动靶材需求,国产替代空间巨大。
2025年报明确指出"存储芯片从2D NAND向3D NAND演进使CMP工艺步骤数近乎翻倍,带动钨抛光液需求持续快速增长"。CMP抛光液收入占比81.5%,集成电路客户营收占比99.8%。CMP抛光液是芯片制造核心耗材,存储厂商大规模扩产将直接拉动用量倍增。
半导体前驱体材料广泛运用于3D NAND、NOR FLASH等存储芯片和DRAM内存芯片先进制程(2025年报原话),是存储芯片薄膜沉积工艺核心材料。半导体业务收入占比31.4%(利润占比42.1%),直接受益于三星/海力士/长鑫扩产带来的前驱体需求增长与国产替代推进。
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