中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级
碳化硅
氮化镓
第三代半导体
【中金：核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级】中金指出，在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后，高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下，2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为，SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级，SiC有望统领机房侧（灰区）应用，而GaN有望在机柜内（白区）大规模渗透，从灰、白区分界线形成“SiC左，GaN向右”的市场格局，共同受益于数据中心电源方案迭代。
相关股票
8 只 · 按关联度排序
新
92%
加载行情
2025年年报明确披露其SiC MOSFET等功率半导体产品可广泛应用于AI服务器及数据中心电源供应单元、HVDC系统及固态变压器(SST)等关键环节，并指出GaN/SiC等第三代半导体正在AI服务器电源领域加速渗透。公司功率器件收入占比95.6%，概念涵盖碳化硅、氮化镓、第三代半导体。
斯
90%
加载行情
2025年年报显示其IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT产品广泛应用于AI服务器电源、数据中心等领域；募投项目已建成年产6万片6英寸车规级SiC MOSFET芯片产线；GaN模块产业化项目明确瞄准AI服务器电源和数据中心应用场景。公司是国内IGBT模块龙头，功率半导体收入占比99.9%。
芯
90%
加载行情
2025年年报直接论述AI数据中心800V/±400V高压直流架构（HVDC）持续演进、固态变压器(SST)规模化应用将推动第三代半导体功率器件需求快速放量。公司是国内领先的具备车规级IGBT/SiC芯片及模组生产能力的代工企业，集成电路晶圆代工收入占比73.1%。
三
88%
加载行情
2025年年报明确列出其SiC/GaN电力电子芯片（碳化硅MOSFET/二极管/衬底/外延、硅基氮化镓）应用于数据中心及AI服务器、不间断电源等领域。公司是国内化合物半导体垂直整合龙头，集成电路芯片收入16.2%，并在SiC和GaN全产业链布局。
华
87%
加载行情
2025年年报明确提出加速氮化镓（GaN）器件在AI数据中心等领域的产业化进程，同时全力推进碳化硅（SiC）MOSFET、二极管及模块的全产业链技术攻关与规模化生产。公司是国内IDM半导体龙头，概念涵盖碳化硅、氮化镓、第三代半导体。
天
85%
加载行情
2025年年报披露其碳化硅衬底经客户制成功率器件，最终应用于AI数据中心等终端产品；据日本富士经济2026年3月报告，公司全球导电型碳化硅衬底市场份额达27.6%，位居全球第一。碳化硅衬底收入占比99.6%，是SiC器件产业链最上游核心材料供应商。
中
80%
加载行情
公司HVDC电源系统（240V/336V/800V）已在大型云计算数据中心、智算中心和第三方colo数据中心大规模应用，深度适配AI与超算需求。数据中心电源收入占比36.3%（2025年报），为第一大收入来源；公司概念涵盖氮化镓、第三代半导体，直接受益于数据中心高压架构升级。
士
75%
加载行情
公司是国内功率半导体IDM龙头，拥有SiC/GaN化合物半导体器件产品线。甬兴证券2026-06-22研报指出其GaN器件为英伟达800V DC架构提供从800V输入到GPU终端的全链路GaN电源解决方案；子公司士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片产线正在爬坡。概念涵盖碳化硅、氮化镓、第三代半导体。（注：数据中心直接关联主要来自研报证据）