东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
半导体
【东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET】东芝电子元件及存储装置株式会社6月30日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
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东
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主营MOSFET功率器件（收入占比95.3%），产品包括高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET，直接对标东芝U-MOS11-H系列。产品明确应用于5G基站电源、通信电源、数据中心服务器电源，与东芝TPM1R408RH目标市场完全重合。华泰证券2026-05-01研报指出公司AI电源业务为增长亮点，已完成服务器一次/二次电源配套产品研发。
新
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国内MOSFET设计领域领军企业（连续五年中国半导体功率器件十强），功率器件收入占95.6%，产品电压覆盖12V~1700V全系列（含80V等级），是国内率先量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一。产品广泛应用于5G通信、数据中心等领域，与东芝新MOSFET在同一赛道竞争。
锴
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2025年年报明确披露拥有80V沟槽屏蔽栅MOSFET产品线，并指出AI算力爆发、AIDC数据中心扩建深刻重塑功率半导体行业格局。功率器件+功率IC合计占主营收入96%以上，产品涵盖平面MOSFET、快恢复高压MOSFET(FRMOS)等近700款，直接对标东芝TPM1R408RH。
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国内功率半导体IDM龙头，产品与方案板块（含MOSFET等功率器件）收入占比54.5%。华源证券2026-04-29研报指出，公司在AI服务器领域布局DrMos功率模块及硅基/第三代半导体器件，已批量供货海内外头部电源设计厂商及AI服务器客户，与东芝产品在同一应用中竞争。
士
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国内功率半导体IDM龙头，器件（含MOSFET）占收入48.9%。第一上海2026-05-26研报指出，公司在AI服务器电源已形成DrMOS、eFuse等电源管理芯片组合，SiC MOSFET已切入AI算力中心电源大批量出货。产品与东芝新MOSFET共同面向AI数据中心/基站开关电源市场。
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半导体功率器件收入占比87.8%，MOSFET产品覆盖中低压至高压全平台。东方证券2026-03-02研报指出，AI数据中心规模化部署直接带动低压MOSFET需求激增，公司聚焦适配AI领域的功率半导体产品研发，有望受益于AI数据中心电源功率器件需求增长趋势。