韩国存储巨头启动800万亿韩元大规模扩产计划，五年内DRAM产能翻倍
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三星（平泽）与SK海力士（利川/清州/美国印第安纳）计划启动总投资额高达800万亿韩元的4座晶圆厂及81万亿韩元先进封装集群建设，主打DRAM/HBM，目标五年内实现韩国DRAM产能翻倍。新一轮资本开支将显著拉动上游电子材料需求，包括六氟化钨、前驱体、电子级氢氟酸、钼代钨靶材等。机构建议关注六氟化钨（中船、昊华）、前驱体（雅克科技）、电子级氢氟酸（多氟多）、靶材（有研新材、江丰电子）等国内供应商。
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7 只 · 按关联度排序
江
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国内溅射靶材龙头，超高纯靶材收入占比61.9%，产品已进入16nm先进制程并批量供货全球主流半导体厂商。钼靶、钨钛靶等是DRAM/HBM金属互连层溅射工艺核心材料，公司作为国产靶材替代主力受益最大。
中
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全球最大六氟化钨生产基地，年产能2000吨，2024年集成电路电子特气销售收入国内排名第一。六氟化钨是DRAM/HBM钨导体层CVD工艺核心材料，三星/SK海力士五年DRAM产能翻倍将直接拉动六氟化钨需求爆发。
雅
92%
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国内前驱体材料核心供应商，半导体业务收入占比31.4%，概念板块包含高带宽存储器HBM。前驱体是DRAM/HBM薄膜沉积(ALD/CVD)工艺关键材料，三星/SK海力士新建4座晶圆厂将大幅增加前驱体采购量，公司作为国内龙头直接受益。
有
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薄膜材料（含溅射靶材）收入占比24.0%，电子新材料业务整体占比79.0%。公司是国内领先高纯金属靶材供应商，新闻明确推荐有研新材为钼代钨靶材受益标的，DRAM/HBM金属化工艺对靶材需求将随产能翻倍而大幅增长。
中
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同时量产三大类关键材料：高纯六氟化钨(5N5纯度)、前驱体材料(HCDS/BDEAS/TDMAT)和电子级氢氟酸，产品已在中芯国际、华虹集团等主流客户通过认证并批量供货。集成电路收入占比71.2%，概念含高带宽存储器HBM，存储扩产将带来多品类订单共振。
昊
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含氟电子特气龙头，拥有三氟化氮6000吨/年、六氟化硫2000吨/年等核心产能，电子化学品业务2026年Q1销售收入同比增长20.92%。新闻机构明确推荐昊华为六氟化钨受益标的，直接受益于存储巨头扩产带来的特种气体增量需求。
多
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公司生产半导体级氢氟酸，年产3万吨超净高纯电子级氢氟酸项目已全部建成投产（2025年3月达预定可使用状态）。电子级氢氟酸是DRAM/HBM晶圆制造刻蚀和清洗工艺的关键化学品，韩国存储巨头产能翻倍将显著拉动需求。