美光科技93亿美元扩建广岛项目动工 预计2028下半年出货HBM
高带宽存储器HBM
【美光科技93亿美元扩建广岛项目动工 预计2028下半年出货HBM】美光科技当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。为支持该项目的建设，日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴。美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示，“美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。”
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通
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国内封测龙头，公告明确具备硅通孔（TSV）与硅中介层技术实现HBM与GPU高密度集成（2026年4月定向增发募集说明书）；子公司通富通科定位存储芯片封测基地，覆盖多层堆叠封装。美光广岛扩产HBM，通富微电作为国内HBM先进封装主力供应商直接受益于HBM产业扩产浪潮。
拓
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公司Propus 300键合套准精度量测产品和Pleione 300芯片拾取键合设备均明确公告'主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域'（2025年报）。HBM制造中多层DRAM堆叠依赖混合键合技术，拓荆科技是国内唯一量产HBM键合设备的厂商，概念板块含'高带宽存储器HBM'，直接受益于美光HBM扩产带来的设备需求。
艾
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公司2025年报明确'产品覆盖HBM、3D堆叠芯片等高端封装形式的核心工艺环节，可满足凸块制作、通孔填充、铜互连等复杂制程需求'；在先进封装领域电镀液市占率约30%。HBM制造中TSV通孔填充、微凸点制作均依赖电镀液，美光扩产直接拉动配套材料需求。概念板块含'高带宽存储器HBM'。
中
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华泰证券2026年4月研报指出公司'晶圆平整度量测设备已出货头部HBM客户开展产线工艺验证'，同时'为先进逻辑、先进存储以及HBM 2.5D/3D封装等前沿领域客户提供一站式良率管理解决方案'。HBM堆叠层数增至12层甚至16层，对晶圆平整度检测需求呈指数增长，公司作为国产量测设备龙头充分受益。
神
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2025年报明确分析'以HBM为代表的人工智能所需算力芯片研发竞争日趋激烈，SK Hynix、三星、美光都计划推出新一代HBM产品'，并指出'三维堆叠的HBM对TSV工艺提出更高要求，刻蚀工艺精准控制至关重要'。公司生产刻蚀机用大直径硅零部件，是HBM TSV刻蚀工艺的关键耗材，硅零部件收入占比54.1%、同比增长100.15%。
华
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2025年报明确指出'随着Chiplet、HBM等先进封装技术和工艺的不断发展，对于封装材料提出了更高的要求'；公司环氧塑封料（EMC）已进入通富微电、长电科技等头部封测企业供应链。HBM封装需要高性能EMC材料进行塑封保护，美光HBM扩产拉动封测厂产能，间接带动上游封装材料需求。概念板块含'高带宽存储器HBM'。
雅
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概念板块含'高带宽存储器HBM'；半导体前驱体材料广泛用于DRAM内存芯片和先进封装（2025年报）；公司开发'人工智能先进封装复杂芯片组所需的各种前驱体材料'。HBM的基础是DRAM芯片堆叠，前驱体是DRAM制造中薄膜沉积工艺的核心材料。美光广岛工厂扩产HBM+DRAM将拉动前驱体材料需求，公司作为国内前驱体龙头，半导体业务收入占比31.4%。