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美光启动日本广岛工厂扩建 以进一步提高先进存储芯片产能

高带宽存储器HBM 半导体 内存
【美光启动日本广岛工厂扩建 以进一步提高先进存储芯片产能】美光科技周六启动日本广岛工厂的扩建,以进一步提高先进存储芯片的产能,满足不断增长的人工智能(AI)算力硬件需求。该扩建工程的投资额达到1.5万亿日元(约合93亿美元),日本经济产业省为该项目提供不超过5000亿日元的补贴支持。该工厂将生产高带宽内存等AI基建急需的芯片。制造设备的交付和安装计划于2028年下半年开始。存储芯片公司竞相在全球扩大产能。美光正在Boise建设两座先进晶圆厂,今年1月为位于纽约州的千亿美元生产基地举行奠基仪式,以提高美国本土DRAM产量。韩国SK海力士和三星电子也在积极扩大产能。

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已进入美光科技全球供应链体系(公司档案明确确认),年报进一步指出"公司为HBM核心TSV刻蚀提供高端特气,直接受益于HBM爆发";2026年HBM市场规模546亿美元(同比+58%),美光将70%新增产能投向HBM,公司作为核心特气供应商直接受益于该扩产计划。
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存储芯片研发封测一体化龙头,2025年报明确讨论HBM市场并指出"SK海力士、三星和美光的HBM销售收入均持续大幅增长"。公司掌握2.5D/Chiplet/RDL/Fanout等先进封装技术,推出面向先进存储芯片的FOMS系列和存算合封CMC系列,概念板块包含HBM/内存/闪存。
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国内半导体薄膜沉积设备龙头,2025年报明确其设备是"实现3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑"。概念板块包含HBM。美光广岛工厂扩建HBM产能将拉动上游薄膜沉积设备需求,公司作为国产设备龙头存在设备供应机遇。
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半导体存储器件测试设备核心厂商(该项收入占比55.6%)。2025年报明确正在"开发针对KGSD、HBM等基于2.5D和3D新一代半导体封装技术的测试技术和设备",并指出"以算力芯片、HBM为代表的高端芯片测试需求显著提升"。美光HBM扩产将带动测试设备和测试服务需求增长。
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环氧塑封料国内龙头(全球出货量第二),2025年报披露韩国子公司"具备开发HBM所要求的高导热EMC的技术能力,有望直接切入全球AI算力芯片供应链"。公司GMC产品已在NAND Flash实现批量供货,HBM扩产将拉动高端封装材料需求。概念板块包含HBM。
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独立第三方芯片测试龙头,2025年报披露研发项目包括"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发",测试能力覆盖"Nor/Nand Flash、DDR、HBM等"存储芯片。美光扩产HBM带动存储芯片测试需求质与量双重提升,公司作为HBM测试方案开发者直接受益。
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半导体前驱体材料核心供应商,产品广泛用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程,并布局AI先进封装所需材料。年报指出公司"跟踪半导体前驱体世界前沿技术,开发人工智能先进封装复杂芯片组所需的各种前驱体材料"。概念板块包含HBM,间接受益于HBM产能扩张带动的材料需求增长。
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SK海力士数据存储器的核心分销商(第一大供应商为SK海力士),SK海力士是全球HBM市场领导者。公司电子元器件分销收入占比94.2%。美光、SK海力士等HBM产能扩张印证行业高景气,公司作为海力士分销商直接受益于HBM及存储器需求放量。概念板块包含HBM。