三星电子2纳米良率突破60%，目标2030年实现1纳米级芯片量产
三星电子的晶圆代工业务已定下2030年前完成1nm级先进制程工艺SF1.0开发并转移至量产阶段的目标，目前2纳米良率已突破60%。SF1.0将采用forksheet叉片晶体管器件结构。这一技术进展标志着半导体先进制程竞争进入新阶段，将推动全球半导体设备、材料需求增长，同时加剧国产替代紧迫性。
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三星最近在先进制程这块是玩真的了！他们2纳米的良率已经突破60%，这是什么概念？意味着三星在高端芯片代工领域开始站稳脚跟了。而且他们放话2030年要实现1纳米级芯片量产，用的还是forksheet叉片晶体管结构，这是GAA晶体管的一种，技术含量很高。
说白了，这对整个半导体行业影响挺大的。首先，先进制程竞争会更激烈，台积电压力来了，之前三星良率上不去，很多客户不敢把订单给他，现在60%的良率说明情况不一样了。其次，2纳米、1纳米这种先进制程对设备要求极高，光刻机、刻蚀设备这些需求会明显增长，ASML这种设备商肯定是最受益的。
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