长鑫DRAM有望采用4F2+CBA方案，晶合集成或被纳入逻辑晶圆代工体系
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据产业链信息，国内DRAM产业已明确将采用4F2+CBA技术方案，以解决国内缺乏高端光刻机（GKJ）导致的制程微缩受限问题。该方案将DRAM的逻辑电路与存储电路分别制造在两片晶圆上，再通过混合键合方式集成，从而有望将逻辑晶圆部分外包代工。晶合集成第一大股东为合肥国资委，是合肥唯一逻辑代工厂，其战略地位类比武汉新芯之于长江存储（新芯目前承接长存所有NAND逻辑芯片代工），因此晶合集成有望承接长鑫DRAM的逻辑晶圆代工业务。公司主业目前产能满载（DDIC占比60%、CIS占比20%、电源占比10%），稼动率接近满产且持续扩产，28nm制程已流片，后续制程有望持续演进。
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晶
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新闻直接点名晶合集成有望承接长鑫DRAM逻辑晶圆代工业务。公司2025年报披露28nm逻辑工艺平台已完成开发，具备Logic平台晶圆代工能力；第一大股东为合肥国资委（合肥建投），与长鑫存储同属合肥半导体生态体系；类比武汉新芯之于长江存储的独家代工关系，公司作为合肥唯一逻辑代工厂战略地位突出，且目前产能满载、持续扩产。
长
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2025年报明确披露封测服务覆盖DRAM，拥有20多年memory封装量产经验，具备Hybrid异型堆叠、25um超薄芯片制程能力；公司掌握2.5D/3D封装技术，4F2+CBA方案的混合键合集成环节高度依赖先进封装能力，长电科技作为全球封测龙头有望承接相关封装需求。
华
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2025年报披露CMP是先进封装（含3D IC、HBM、CoWoS等）的关键工艺，贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程，直接决定键合良率；减薄装备可覆盖键合晶圆减薄及3D IC、HBM等领域。4F2+CBA的混合键合工艺对CMP表面平坦度要求极高，公司作为国内CMP设备龙头核心受益。
佰
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2025年报明确将合肥长鑫列为存储晶圆原厂供应商（全球DRAM产能集中于三星、SK海力士、美光、合肥长鑫等）；长鑫通过4F2+CBA实现技术突破后，产能与产品竞争力有望提升，公司作为下游模组厂商直接受益于更稳定的国产DRAM供应及成本优化。
江
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2025年报将长鑫存储列为存储晶圆全球主要制造商（"长鑫存储指合肥长鑫集成电路有限责任公司…存储晶圆全球主要制造商"）；公司作为国产存储器品牌龙头（嵌入式存储+SSD+内存条），长鑫DRAM技术路线升级有助于提升国产DRAM品质与供应稳定性，公司直接受益于上游技术进步带来的供应链协同。