东方算芯在上海发布其首颗旗舰芯片——DF1000。作为全球首颗软件定义近存计算3D芯片，DF1000以“软件定义＋3D堆叠近存计算”架构，聚焦底层计算架构源头创新，破解中国高端算力芯片发展面临的核心瓶颈。该芯片通过软件定义芯片技术实现软硬件解耦与动态重构，在14nm工艺节点下实现520TFLOPS@BF16算力。这一技术突破对国产算力芯片替代及先进封装产业链具有标志性意义。
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通
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国内封测龙头，年报明确披露拥有硅通孔（TSV）与硅中介层技术实现HBM封装，2.5D/3D封装产线已完成通线。DF1000作为3D堆叠近存计算芯片，先进封装是核心工艺环节，公司直接受益于3D堆叠芯片封装需求增长。
长
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全球领先封测企业，2025年报明确拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）等先进封装技术，广泛应用于高性能计算领域。DF1000采用3D堆叠架构，长电科技作为国内封装技术最全面的龙头，是3D芯片封装的核心供应商。
艾
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2025年报明确：'HBM3E、Chiplet 3D堆叠、CoWoS-L等先进封装技术直接带动TSV/TGV添加剂等材料需求激增'。公司构建的RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上国内封装厂。DF1000的3D堆叠近存计算工艺将直接拉动TSV电镀液等核心材料需求。
盛
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2025年报明确产品：'应用于填充3D硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备Ultra ECP 3d'及'TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺'。DF1000的3D堆叠芯片制造中TSV工艺是关键环节，公司三维电镀与清洗设备为必选装备。
华
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2025年报明确：'CMP作为先进封装（含3D IC、HBM、CoWoS等）的关键工艺，贯穿键合表面制备、晶圆背减、TSV金属化全流程'。减薄装备覆盖3D IC、CoWoS、HBM等多领域。DF1000的3D堆叠工艺依赖CMP与减薄设备，公司是国内唯一12英寸CMP量产企业。
安
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2025年报明确：产品覆盖'应用于先进封装领域的铜、镍、锡银等电镀液及添加剂以及硅通孔（TSV）电镀液及添加剂'。总部位于上海，与东方算芯同城。TSV电镀液是3D堆叠芯片制造中硅通孔金属填充的关键材料，直接受益于DF1000量产需求。
拓
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2025年报明确：'在3D NAND存储领域通过晶圆混合键合技术实现存储单元与逻辑电路的垂直堆叠'，混合键合设备应用于3D封装、Chiplet、异质集成。DF1000的3D堆叠近存计算架构需混合键合技术实现存储与计算单元的垂直集成，拓荆是国内混合键合设备龙头。
中
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2025年报明确：'硅通孔铜填充空隙量测设备系列主要应用于先进封装和HBM芯片制造，基于X光核心技术，可实现对亚微米级硅通孔铜填充空隙的高分辨、快速、无损量测'。DF1000的3D堆叠工艺中TSV铜填充质量直接决定芯片良率，检测设备不可或缺。
路
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2025年报明确：'硅通孔（TSV）是实现2.5D/3D堆叠封装的关键技术'，公司掩膜版覆盖RDL、TSV、微凸块等先进封装全工艺环节。作为国内领先的第三方掩膜版厂商，DF1000的3D堆叠芯片制造中多层光刻掩膜版为必需耗材。
甬
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2025年报明确：'实现Chiplet的技术方式包括硅通孔技术（TSV）、2.5D/3D封装等多种形式'，二期总投资111亿元布局先进晶圆级封装包括2.5D/3D封装。作为先进封测新锐，直接提供3D堆叠芯片的量产封装服务。
利
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2025年报明确布局'Chiplet、3D堆叠、异构集成等新兴技术测试方案'及'高算力（CPU、GPU、NPU、ASIC、AI等）'测试，工艺涵盖16nm等先进制程。DF1000（14nm、520TFLOPS高算力芯片）量产前需专业第三方测试验证，公司具备完整测试能力。
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2025年报明确：'4nm制程配套先进封装产品实现规模化量产，2.5D/3D、Chiplet等先进封装技术完成产业化落地'，集成电路封装材料收入占比16.2%。TSV材料、高导热界面材料等产品为3D堆叠芯片封装必备。
佰
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2025年报明确布局'计算与存储融合的CMC（Computing Memory Chiplet，存算芯粒）系列，适配存算合封的技术发展趋势'以及FOMS扇出型存储堆叠技术。DF1000的核心创新为'近存计算'，CMC存算芯粒概念与之直接呼应，属同一技术方向。
炬
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华源证券2026-05-14研报指出公司'存内计算技术持续推进'，申万宏源2026-02-05研报确认'基于SRAM存内计算架构打造端侧AI芯片'。第一代存内计算已商业化落地，第二代研发中。与DF1000'近存计算'同属计算存储融合技术方向，虽应用场景（端侧vs高性能）不同，技术路径具对标价值。