此次为HBM4首次以完成所有质量认证的最终规格进行量产，产品已进入产能爬坡阶段，面向英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。此前供应产品均被归类为样品。该量产节点将充分承接英伟达高端算力芯片供货需求，标志着HBM4商业化进入实质阶段，对全球AI算力硬件供应链具有指标意义。
相关股票
14 只 · 按关联度排序
太
95%
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控股子公司海太半导体以全部成本+约定收益模式为SK海力士提供半导体后工序服务（封装测试），2025年7月签署《第四期后工序服务合同》并生效，2026年预计关联交易额后工序服务6亿美元。HBM4量产出货将直接增加海太半导体的后工序服务需求。
江
93%
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公司是SK海力士的超高纯溅射靶材供应商，发行保荐书列示公司已成为中芯国际、台积电、SK海力士、京东方等国内外知名厂商的超高纯溅射靶材供应商。超高纯靶材收入占营收61.9%，HBM4扩产将拉动靶材消耗量。
麦
92%
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2025年年报披露：公司已成为英伟达指定的数据中心推荐电源提供商之一，正积极参与英伟达Blackwell及Vera Rubin系列架构数据中心电源系统创新设计与生态建设。Vera Rubin正是HBM4量产所面向的英伟达下一代AI平台，直接受益于芯片放量拉动电源需求。
华
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2025年年报明确披露公司为HBM核心TSV（硅通孔）刻蚀提供高端特气，直接受益于HBM爆发，已进入SK海力士、三星、美光等全球领先半导体企业供应链。HBM4量产直接拉动TSV刻蚀气体需求，公司深度布局该环节。
香
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旗下联合创泰拥有SK海力士授权代理资格，是SK海力士产品线授权分销商，代理产品覆盖服务器、手机等领域。概念板块含高带宽存储器HBM，电子元器件分销收入占比94.2%，HBM4大规模出货将带动分销业务量。
雅
83%
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半导体前驱体材料核心供应商，产品广泛运用于3D NAND、DRAM等存储芯片先进制程，概念板块含高带宽存储器HBM。公司在韩国设有双研发部门跟踪前沿技术，半导体材料收入占比31.4%。HBM4量产拉动DRAM前驱体材料需求。
兴
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2025年年报披露已通过SK海力士等境内外知名集成电路厂商多种产品认证，是湿电子化学品（电子级磷酸、电子级硫酸等）供应商。SK海力士（无锡）投资有限公司亦为公司股东，产业绑定紧密。HBM4量产拉动湿电子化学品需求。
沪
80%
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AI服务器PCB核心供应商，企业通讯市场板（含数据中心/AI服务器）收入占比77.4%。HBM4量产支撑英伟达Vera Rubin平台出货扩张，带动高端PCB（高多层/HDI）需求持续增长，年报明确指出受益于AI算力基建浪潮。
华
78%
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国内CMP设备龙头，公告明确紧跟HBM、CoWoS等先进封装技术发展趋势推进产品革新。CMP是HBM制造中TSV金属化、晶圆减薄等关键工艺的必备设备，已覆盖国内主流产线。概念板块含高带宽存储器HBM。
胜
78%
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全球领先AI及高性能计算PCB供应商，产品用于AI服务器等领域，概念板块含英伟达概念。HBM4量产带动英伟达AI芯片出货增长，AI服务器PCB需求提升，传导链清晰。公司服务超350家全球客户。
深
77%
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PCB+封装基板双轮驱动，AI服务器PCB及FC-BGA基板受益于AI算力基建。年报披露AI服务器及相关配套产品订单同比显著增加，成为PCB业务增长关键动力。HBM4量产带动英伟达AI芯片出货，拉动高端PCB/封装基板需求。
艾
76%
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2025年年报披露构建的RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上国内封装厂，TSV电镀添加剂等产品用于HBM3E、Chiplet 3D堆叠等先进封装。HBM4量产带动先进封装用电镀液及配套试剂需求增长。
鼎
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国内唯一全面掌握CMP抛光垫全流程核心技术的供应商，CMP抛光垫龙头，概念板块含高带宽存储器HBM。CMP工艺贯穿HBM的TSV金属化、晶圆减薄等流程，HBM4扩产直接拉动CMP抛光垫消耗量。
安
73%
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国内CMP抛光液及电镀液龙头。2025年年报披露先进封装用电镀液及添加剂已有多款产品量产销售，硅通孔（TSV）电镀液及添加剂开发按计划推进，产品已用于逻辑芯片、存储芯片等领域。HBM4量产带动CMP和电镀材料需求。