长鑫科技集团股份有限公司启动IPO发行受到市场高度关注。根据最新发行方案，长鑫科技本次IPO预计募集资金总额约579.19亿元（超额配售选择权行使前），扣除发行费用后净额约576.38亿元，用于新一代DRAM产能扩建与HBM高带宽存储技术研发。TCL科技在互动平台表示，公司参与了长鑫科技首次公开发行战略配售，获配金额约1.58亿元，获配股数1824.48万股。
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5 只 · 按关联度排序
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公司实控人/董事长朱一明同时担任长鑫科技董事长，构成关联法人关系（2025年年报披露）。2026年3月31日公告预计2026年度从长鑫科技采购DRAM产品8.25亿美元（约57.11亿元），存储芯片收入占公司营收71.3%。长鑫科技募资579亿扩建DRAM产能，直接保障兆易创新的DRAM晶圆供应。
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新闻直接点名：TCL科技在互动平台公告参与长鑫科技IPO战略配售，获配金额约1.58亿元，获配股数1824.48万股。作为长鑫科技的战略配售方，长鑫募资579亿上市后，TCL科技将直接获得股权投资增值收益，且配售锁定期内受益于长鑫产能扩建带来的估值提升。
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2025年年报明确将长鑫科技集团列为关联自然人担任董事的公司。公司是全球封测龙头，拥有2.5D/3D先进封装、XDFOI平台及HBM封装能力，概念板块含高带宽存储器HBM。DRAM封测服务覆盖DRAM/Flash等存储芯片，长鑫募资579亿扩建DRAM和研发HBM，长电科技作为封测合作伙伴直接受益。
佰
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2025年年报明确将合肥长鑫列为全球主要DRAM晶圆原厂，称以长江存储和长鑫存储为代表的本土存储晶圆原厂迎来历史机遇，公司已与主要存储晶圆原厂签订长期协议保障供应。长鑫科技IPO募资579亿扩建DRAM产能，将提升佰维存储的DRAM晶圆采购保障能力，有利于公司存储模组业务发展。
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招商证券2026年6月3日研报指出：长鑫存储DDR5/LPDDR5已规模化量产，合肥一期/二期及北京产线预计2026年基本达产，上海临港新厂推进中，12英寸总产能持续增长。拓荆科技作为国内薄膜沉积设备龙头（PECVD/ALD），有望持续受益于长鑫存储扩产和工艺升级，且公司概念板块含高带宽存储器HBM。