三星电子西安工厂开始量产236层NAND闪存，计划年内过渡至286层
三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段，逐步淘汰传统的128层（V6）NAND闪存，并已开始量产236层（V8）产品。目前三星电子正在筹划进一步升级，预计将于今年完成向286层（V9）NAND闪存的过渡。此举将加剧存储芯片技术竞争，影响国内存储产业链及设备材料供应商。
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三星在西安的工厂最近搞了个大动作啊——他们已经开始量产236层的NAND闪存了，就是那个V8产品，而且说年内还要冲到286层。这是个什么概念呢？简单说就是他们正在把原来128层的老产品逐步淘汰掉，往更高堆叠层数的技术上升级。
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