【SK、三星和英伟达将聚首硅谷】据报道，三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源和Naver会长李海珍将在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面。业界消息人士22日透露，三星、SK、Naver和英伟达的高层计划本周在美国硅谷附近举行圆桌会议。此次会议很可能定于24日举行。
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澜
93%
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全球内存接口芯片龙头（市占率36.8%第一）。公司2025年报明确：三星电子、SK海力士及美光合计占全球DRAM市场90%以上份额，是公司内存接口芯片及模组配套芯片的主要下游客户（来源：澜起科技2025年报）。公司还支持三星、SK海力士推出CXL内存产品。三星/SK与英伟达会面讨论HBM供应，澜起作为核心配套芯片供应商直接受益。
华
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公司2025年报披露：韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC（环氧塑封料）技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链；颗粒状环氧塑封料（GMC）在存储器件领域取得突破，GR910系列已在NAND Flash通过考核并批量供货。HBM封装材料是三星/SK海力士与英伟达HBM供应合作的关键环节。
长
80%
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国产集成电路测试机龙头（测试机收入占比60.5%）。东吴证券2026-06-23研报指出：HBM 3D堆叠结构驱动测试道数倍增（CP测试由3-4道增至15道以上），存储测试设备需求进入爆发期；SK海力士2026Q1净利润同比+406%推动资本开支扩张。三星/SK与英伟达会面若敲定HBM4供应协议，将进一步拉动测试设备需求。
精
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2025年报披露：公司是国内头部半导体存储厂商主力供应商，产品覆盖晶圆测试、老化修复、FT测试及MEMS探针卡，半导体存储器件测试收入占比55.6%。HBM 3D堆叠带来测试道数倍增，三星/SK海力士若与英伟达达成HBM4供应扩产，将带动国内存储封测链设备需求增长。
艾
75%
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2025年报披露：HBM3E、Chiplet 3D堆叠、CoWoS-L等先进封装技术直接带动高纯电镀液、TSV/TGV添加剂等材料需求激增；公司RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案已覆盖90%以上国内封装厂。三星/SK海力士HBM扩产将拉动先进封装材料需求，公司作为国内主力供应商受益。
拓
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2025年报披露：公司Pleione 300产品主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域，可实现芯片顺序拾取并精准键合到晶圆。混合键合技术是HBM堆叠的核心工艺，三星/SK海力士HBM4若启动大规模量产将直接拉动键合设备需求。
德
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2025年报披露：先进封装（如HBM、CoWoS）需求爆发带动TSV材料、高导热界面材料等高端品类需求激增；公司产品覆盖晶圆UV膜、底部填充胶、导热界面材料等集成电路封装材料（收入占比16.2%）。HBM封装对导热界面材料要求极高，三星/SK海力士扩产利好公司。
工
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申万宏源研究2026-06-26研报指出：工业富联是英伟达核心硬件JDM伙伴，深度参与英伟达硬件堆栈（LPU机柜、Vera CPU机柜等），CPO产品2026Q3量产。云计算业务收入占比66.8%。英伟达与三星/SK会面若推动HBM供应放量，将支撑英伟达AI芯片出货增长，公司直接受益。