当前SiC基本面正在从弱现实走向中现实，明年盈利将进入强现实。天岳先进Q2排产延续Q1排满状态，进入卖方市场，整体价格平稳且局部急单涨价。结构上，相比去年H2工业级比例高，H1电车+AI对拉动8英寸结构性开始体现，预计Q3会更加明显（英伟达Rubin开始出货，对英飞凌及上游碳化硅衬底一供天岳拉动开始体现），利润不仅维持盈利，利润率还会进一步提速。需要跟踪12英寸SiC在先进封装的进展（预计2030年市场300亿+），目前台厂已经在找硅片/碳化硅衬底厂投钱研发，长晶炉龙头可以验证这一点，额外看好晶升股份。此外化合物半导体新品类构成降维打击。当前市值基本跌完了此前关于AI大部分800V电源和小部分先进封装的强预期，但现实在转强。
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10 只 · 按关联度排序
天
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新闻核心标的。2025年全球导电型SiC衬底市占率27.6%居全球第一（日本富士经济），8英寸市占率51.3%。Q2排产延续Q1满产状态进入卖方市场，局部急单涨价。已推出12英寸SiC衬底，先进封装散热中介层取得突破。获博世集团卓越供应商奖（全球3.5万家中仅49家获评）。
晶
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新闻直接点名看好的长晶炉龙头。12英寸SiC单晶炉已完成小批量发货，产品覆盖6-12英寸导电型/半绝缘型SiC衬底制备。据公司投资者交流记录，碳化硅衬底价格呈现结构性上涨，6英寸价格反弹、8英寸止跌企稳微涨，印证行业拐点。
晶
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SiC长晶炉+SiC衬底双主业布局。公司开发了SiC长晶及加工全套设备，同时自产8英寸导电型SiC衬底。公告确认SiC功率器件在新能源汽车800V高压平台、AI数据中心高压电源规模化应用，直接受益于天岳先进扩产带动的设备需求及行业景气上行。
三
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国内SiC全产业链IDM龙头。湖南三安8英寸SiC产线通线，产品覆盖SiC衬底/外延/MOSFET/二极管，应用于新能源汽车、AI服务器电源、充电桩等。2025年报显示SiC电力电子芯片业务高速增长，与天岳先进同处SiC衬底赛道，共享行业景气与8英寸/12英寸升级红利。
芯
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Yole排名中国SiC器件厂商第一。SiC MOSFET覆盖650-3300V全平台，8英寸SiC已量产出货，主驱用SiC MOSFET产品领先。国内乘用车功率模块装机量第四（NE时代），直接受益于AI电力与800V电源需求拉动的SiC器件渗透加速。
露
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2025年报明确提到：英伟达计划在新一代Rubin处理器中将CoWoS先进封装中间基板材料由硅换为碳化硅，有望带动需求快速增长。公司SiC衬底业务正经历8英寸转型，与新闻中Rubin出货拉动SiC衬底和12英寸SiC先进封装逻辑直接吻合。
金
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天岳先进公告明确采购石墨保温材料作为SiC衬底生产的关键原材料。金博股份主营碳基热场材料，半导体领域产品可满足光学级SiC衬底对热场材料的高纯度要求，概念板块含碳化硅/第三代半导体，是SiC衬底扩产上游材料受益方。
宏
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SiC模块产品应用于新能源汽车800V平台、储能变流器及数据中心电源。与北京怀柔实验室达成SiC技术及成果转化战略合作。新闻中800V电源需求拉动直接利好公司SiC模块出货，公告确认SiC在800V平台加速渗透。
扬
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首条SiC芯片产线量产爬坡达到国内领先水平，首条SiC车规级功率模块封装项目建成投产并获国际/国内Tier1订单。产品涵盖SiC MOSFET/IGBT等，受益于SiC功率器件在新能源汽车和AI电源领域的需求增长。
华
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SiC功率模块装机量同比大幅增长，SiC器件在1500V光伏逆变器和AI数据中心电源中加速普及。公司拥有从设计到封测的全产业链能力，受益于SiC在AI电力和800V高压平台渗透率提升的行业趋势。