财联社7月24日电，韩国KOSPI指数跌超2%报6949.99点。SK海力士跌超3%，三星电子跌逾2%。
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8 只 · 按关联度排序
太
92%
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子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025.7.1-2030.6.30），以"全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）"模式为SK海力士独家提供半导体后工序服务，产品全部销往SK海力士。2025年12月公告显示对SK海力士单笔应收账款出售规模即达8500万美元，业务依赖度极高。
华
90%
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公司简介明确披露已进入SK海力士、三星、英特尔、台积电、美光等全球领先半导体企业的供应链体系。2025年报进一步指出"深度布局HBM产业链，为其关键的TSV工艺提供先进刻蚀气体"，直接卡位SK海力士主导的HBM核心工艺环节。
澜
88%
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2025年报明确披露：全球DRAM市场90%份额由三星电子、SK海力士及美光科技占据，"这三家公司也是公司内存接口芯片及内存模组配套芯片的主要下游客户"。公司还发布了全球首款CXL MXC芯片，支持三星电子、SK海力士推出CXL内存产品。内存接口芯片收入占比94.2%。
雅
78%
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公司半导体前驱体材料(High-k/硅基/金属材料)广泛运用于DRAM、3D NAND等存储芯片先进制程，已构建中韩双研发部门布局前沿技术，概念板块明确包含"高带宽存储器HBM"。2025年报显示半导体材料收入占比31.4%，覆盖国内外头部半导体制造商。
江
75%
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2025年报将三星电子、SK海力士列为"存储原厂"，公司嵌入式存储、固态硬盘等产品需向存储原厂采购NAND Flash和DRAM晶圆。公司境外收入占比66.8%，存储原厂价格波动直接影响其采购成本与库存价值。
佰
72%
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2025年报引用TrendForce数据详细分析了SK海力士（33.2%）、三星（32.6%）在DRAM市场的份额格局。公司主营嵌入式存储(60.9%)等存储模组产品，是存储晶圆的大宗采购方，与存储原厂景气周期高度联动。同时公司具备先进封装技术和HBM相关工艺储备。
兆
70%
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国内存储芯片设计龙头，存储芯片收入占比71.3%，产品包括NOR Flash和利基型DRAM，与三星电子、SK海力士在存储芯片市场存在直接竞争关系。全球存储芯片景气度变化对兆易创新的产品价格和出货量具有同频传导效应。
利
65%
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公司在2025年报中披露正在研发"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"项目，HBM是SK海力士的核心增长引擎。公司是国内知名独立第三方芯片测试服务商，若HBM产业链需求变化将间接影响其测试服务业务预期。