据报道，三星电子与博通公司签署协议，拟合作开发先进内存芯片制造业务，该协议价值超过200亿美元，期限为5年。
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华
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公司2025年报明确披露产品已获得三星、SK海力士、台积电等全球一线客户认可，覆盖国内90%以上8-12寸芯片制造企业。电子特气是3D NAND/DRAM/HBM制造的刚需耗材。三星博通200亿美元合作扩产先进内存直接拉动电子特气需求，公司作为三星供应链正式供应商率先受益。
澜
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内存接口芯片全球龙头，市占率36.8%居第一（开源证券2026-05-11），已导入三星电子、SK海力士、美光等全球头部DRAM供应商供应链，产品得到三星积极反馈。三星/博通合作扩产先进内存制造，每增加一条内存产线对内存接口芯片需求量同步增长，公司作为核心配套芯片供应商直接受益。
通
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公司公告明确披露TSV与硅中介层技术实现HBM与图形处理器高密度集成，是HBM先进封装核心厂商。2025年营收目标323亿元，计划投资91亿元扩产（华泰证券2026-04-18）。三星/博通200亿美元合作扩产先进内存，HBM封装需求将同步爆发，公司作为国内先进封装龙头直接受益。
普
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公司档案显示产品广泛应用于三星、OPPO、vivo等品牌，是全球NOR Flash和EEPROM主要供应商之一。公司NOR Flash/EEPROM存储器芯片配套三星消费电子及存储产品，三星扩大半导体业务将协同带动上游国产存储芯片需求。
神
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2025年报提及以HBM为代表的AI芯片竞争日趋激烈，三星、SK海力士、美光都计划推出新一代HBM产品。公司硅零部件用于存储芯片等离子刻蚀工艺，是需定期更换的核心耗材，硅零部件收入2025年同比+100.15%，已进入中国主流存储芯片厂供应链，内存扩产直接拉动耗材需求。
拓
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年报明确薄膜沉积设备是3D NAND、3D DRAM、HBM等先进存储芯片技术突破的核心支撑，公司PECVD/ALD设备已广泛应用于国内集成电路逻辑芯片和存储芯片制造领域。AI驱动下存储芯片扩产规划清晰，下游扩产直接带动薄膜沉积设备需求，公司作为国产CVD龙头充分受益。
艾
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2025年报明确布局2.5D/3D集成封装（含HBM封装、CoWoS封装），构建覆盖TSV、RDL、Bumping等核心工艺的完整先进封装材料矩阵，是科创板光刻胶第一股（概念标签含HBM）。三星博通合作扩产先进内存拉动HBM封装材料需求，公司直接受益。
路
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年报明确TSV硅通孔是实现HBM先进封装的关键技术，掩膜版是其光刻工艺的核心材料。同时指出DRAM光刻层数增加及EUV导入对高端掩膜版需求迫切，国产存储厂商扩产带动掩膜版量价齐升。公司是国内高精度掩膜版龙头，内存制造扩产直接利好。
慧
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华泰证券2026-05-02研报指出，公司5G MMMB、L-PAMiF等产品在三星出货稳步提升，更多产品料号导入，收入贡献有望进一步增加。公司档案确认5G产品应用于三星等知名品牌。三星扩大半导体业务将带动配套芯片采购需求。
精
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年报展示垂直堆叠NAND闪存和DRAM存储单元三维形貌量测设备，以及2.5D MEMS探针卡用于NAND/DRAM存储芯片测试。半导体业务收入占比39.4%。三星博通200亿美元扩产先进内存，将拉动晶圆级量测和测试设备需求，公司作为国产半导体检测设备龙头受益。
华
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华泰证券2026-04-24研报指出公司在先进封装、HBM等领域全面布局，CMP设备占国内12英寸先进产线国产90%以上份额。HBM及先进封装新趋势驱动CMP设备需求，公司CMP累计出机超1000台，产品广泛应用于存储芯片制造。
慧
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华鑫证券2026-01-05研报确认公司TMT行业主要客户包括三星，为其提供软件技术服务。公司主营软件技术外包和移动智能终端测试，与三星合作关系长期稳定。三星扩大半导体业务也将协同带动IT服务需求。
沪
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年报明确用于HBM的抛光片需求强劲，AI驱动存储芯片扩产带动硅片需求。公司是国内规模最大的300mm半导体硅片企业，率先实现300mm硅片规模化销售。三星/博通内存制造扩产直接拉动上游硅片需求，公司作为国产硅片龙头受益。
兆
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国内存储芯片设计龙头，SPI NOR Flash全球市占率第二，并布局利基型DRAM（DDR3L/DDR4/LPDDR4）和SLC NAND Flash。存储芯片收入占比71.3%。三星/博通200亿美元合作扩产先进内存，释放行业高景气信号，利好国产存储芯片产业链。
佰
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公司拥有HBM概念标签，2025年报明确HBM已成为AI计算芯片标配，市场规模超300亿美元。公司提供存储芯片封测一体化服务，嵌入式存储营收占比60.9%。三星扩产先进内存拉动整体存储产业链需求，带动封测和模组环节增长。