三星电子宣布与博通公司签署谅解备忘录 涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务
【三星电子宣布与博通公司签署谅解备忘录 涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务】三星电子称，与博通公司签署谅解备忘录，涵盖至2030年价值高达2000亿美元的存储芯片、代工服务和先进封装业务；将与博通公司合作，基于三星的HBM技术开发博通公司的下一代人工智能加速器。三星电子还表示，提供亚2纳米代工工艺和先进封装解决方案。
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神
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公司2025年年报明确披露大直径硅材料通过硅零部件厂商→刻蚀机设备厂商（泛林/TEL）最终销售给三星和台积电等国际知名集成电路制造厂商。三星与博通2000亿美元合作将扩张存储芯片/代工产能，神工作为三星间接上游硅材料供应商，将受益于需求拉动。
华
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公司2025年年报明确披露其CMP装备已进入头部存储厂商HBM产线作为基线设备，减薄装备覆盖HBM、3D IC等先进封装全流程。三星将基于HBM技术开发博通AI加速器，HBM产能扩张直接拉动华海清科CMP/减薄设备需求。
华
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公司2025年年报披露韩国子公司具备开发HBM所要求的高导热EMC（环氧塑封料）技术能力，有望直接切入全球AI算力芯片供应链。韩国是全球HBM核心产区（三星/SK海力士），三星HBM产能扩张将带动EMC封装材料需求。
长
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全球封测龙头，拥有2.5D/3D封装、晶圆级封装、系统级封装等全系列先进封装技术，广泛应用于高性能计算和高密度存储。三星在2000亿美元合作中明确提供先进封装解决方案，印证先进封装行业高景气，长电作为国内封测龙头直接受益。
艾
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公司2025年年报披露先进封装电镀液产品覆盖HBM、3D堆叠芯片的核心工艺环节（TSV/RDL/Bumping），国内先进封装电镀液市占率约30%。三星HBM技术为博通开发AI加速器，将推动HBM封装材料需求增长。
盛
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公司拥有三维堆叠TSV电镀设备（Ultra ECP 3d），应用于2.5D转接板和HBM工艺，2025年年报披露先进封装湿法设备持续增长。三星提供先进封装解决方案将拉动TSV电镀设备需求，盛美作为国产电镀设备龙头受益。
通
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公司拥有2.5D异构集成、TSV硅通孔、HBM封装等先进封装技术，公告披露其技术覆盖HBM及共封装光学等前沿领域。三星与博通2000亿美元合作中先进封装是三大业务支柱之一，先进封装行业景气度提升利好国内封测龙头企业。
盛
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国内以太网交换芯片龙头，2025年年报明确将博通列为全球以太网交换芯片商用厂商的主要竞争对手。博通与三星深度合作将巩固其在AI网络芯片领域的领先地位，进一步凸显盛科通信国产替代的战略价值，在数据中心/AI网络芯片领域面临重大国产化机遇。
上
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公司2025年年报披露其TSV铜互连电镀添加剂已实现3D-TSV中微孔高效电镀填充（深宽比可达20:1），广泛应用于先进封装和HBM工艺。三星HBM技术发展为博通开发AI加速器，TSV作为HBM核心工艺将拉动相关材料需求。
佰
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国内存储模组龙头，2025年年报披露全球DRAM原厂三星、SK海力士、美光三分天下，公司从三星等原厂采购存储晶圆。2000亿美元协议确认存储芯片5年高景气，佰维作为研发封测一体化存储厂商将受益于存储市场需求扩容和技术升级。