三星电子半导体事业部技术开发室长具子铉确认，下一代HBM5内存运行速度将比HBM4E快50%以上，HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）。三星将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域客户合作，引领半导体生态系统进一步发展壮大。
相关股票
13 只 · 按关联度排序
华
92%
加载行情
公司2025年报明确「深度布局HBM产业链，为其关键的TSV工艺提供先进刻蚀气体」，TSV是HBM5更高集成度硅通孔的核心工艺。公司已进入三星等全球领先半导体企业供应链体系（年报原文）。HBM5基础芯片采用2nm GAA，刻蚀气体用量随工艺复杂度提升，公司直接受益于三星HBM5扩产。
拓
90%
加载行情
2025年报披露其混合键合设备（Propus 300/Pleione 300）「主要应用于高带宽存储器（HBM）、芯片三维集成领域」。HBM5堆叠层数和速度提升50%+，对混合键合设备需求将大幅增加。公司是国内唯一量产HBM混合键合设备的供应商，属于HBM制造核心设备环节。
华
90%
加载行情
2025年报明确「减薄装备可覆盖高带宽内存（HBM）、TSV等多领域关键工艺需求」，且「CMP作为先进封装（含HBM、CoWoS等）的关键工艺，贯穿TSV金属化全流程」。HBM5采用更高集成度TSV，对CMP设备的精度和用量需求进一步提升。概念板块包含「高带宽存储器HBM」。
艾
88%
加载行情
2025年报明确「构建RDL/Bumping/TSV全工艺材料解决方案，覆盖90%以上国内封装厂」，且「HBM3E、CoWoS-L等先进封装技术直接带动高纯电镀液、TSV添加剂等材料需求激增」。概念板块包含「高带宽存储器HBM」。HBM5提级将拉动先进封装材料用量。
屹
87%
加载行情
2025年报明确「HBM通过TSV技术实现多颗DRAM垂直堆叠，对深硅刻蚀设备需求持续增长」，且「晶体管结构从FinFET向GAA过渡，ALE原子层刻蚀成为GAA芯片制造关键技术」。HBM5基础芯片采用2nm GAA工艺，直接利好公司的干法刻蚀设备。客户覆盖全球前十大芯片制造商。
精
85%
加载行情
2025年报明确「全球存储厂商将产能优先投向HBM等高端产品，直接利好具备高端测试能力的设备厂商」。半导体存储器件测试设备收入占55.6%，概念板块包含「高带宽存储器HBM」。HBM5速度提升50%+对测试设备要求更高，存储测试需求将随HBM5量产扩大。
通
85%
加载行情
2026年定增公告明确提到「TSV与硅中介层技术，实现HBM与图形处理器的高密度集成」。公司是AMD核心封测合作伙伴，拥有先进封装（2.5D/3D）能力。HBM5升级将拉动先进封装需求，公司作为国内封测龙头直接受益于HBM封装订单增长。
新
82%
加载行情
2025年报明确半导体高精度固晶机（HAD8212 advanced）「适用于NAND、DRAM、GPU、CoWoS、HBM等产品封装」。HBM5堆叠层数增加和工艺升级，对高精度固晶设备需求增长。固晶设备营收占比73.6%，是公司核心业务，HBM封装扩产直接拉动设备采购。
德
78%
加载行情
2025年报明确「2.5D/3D封装、HBM存储器封装成为主流，带动TSV材料、ABF载板、高导热界面材料等高端品类需求激增」。概念板块包含「高带宽存储器HBM」。公司集成电路封装材料收入占16.2%，HBM5对先进封装材料需求提升，公司作为国产封装材料供应商受益。
路
78%
加载行情
2025年报明确「TSV是实现2.5D/3D堆叠封装（如HBM）的关键技术，掩膜版用于定义刻蚀区域」。公司是国内第三方掩膜版龙头，TSV工艺中深硅刻蚀需要掩膜版，HBM5更高集成度TSV将增加掩膜版消耗量，公司半导体封装掩膜版业务受益于HBM扩产。
利
75%
加载行情
2025年报披露正在研发「HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发」项目，并将HBM等列为未来重点布局方向。公司是国内独立第三方芯片测试龙头，HBM5速度提升50%+对测试方案提出更高要求，有望获得HBM测试订单增量。
微
72%
加载行情
2025年报明确「ALD技术主要应用于TSV等结构，为HBM、2.5D/3D封装提供核心工艺支撑」，且「GAA等三维晶体管结构对ALD薄膜沉积精度要求更高」。HBM5基础芯片采用2nm GAA工艺，ALD设备是必备环节。半导体设备收入占比33.5%，受益于先进制程扩产。
佰
70%
加载行情
概念板块包含「高带宽存储器HBM」。2025年报详细分析HBM市场规模（Gartner数据：2025年307.5亿美元，同比+100%）和技术趋势。公司是存储模组与先进封测厂商，HBM带动存储产业整体景气上行，公司作为存储产业链环节间接受益。