全球“最火”内存ETF纳入长鑫科技

新闻直接点名的A股标的：Roundhill内存ETF第10大重仓，权重1.51%（6月首纳入时2.91%）。2026-03-31公告披露2026年度向长鑫集团（长鑫存储技术/长鑫科技合肥）采购代工DRAM预计8.25亿美元（约57.11亿元），董事长朱一明兼任长鑫科技集团董事长，属关联法人；2025年存储芯片收入占71.3%。

中国大陆第一封测龙头，2025年报将'长鑫科技集团股份有限公司'披露为关联方（公司关联自然人任其董事），芯片封测收入占99.6%。长鑫存储DDR5/HBM扩产（合肥、北京产线2026年基本达产）直接带动高密度存储封装需求，是长鑫扩产的一跳受益方。

2025年报明确将长鑫存储列为本土DRAM晶圆原厂（TrendForce 2025Q3市占率5.8%），公司向合肥长鑫等原厂采购存储晶圆；嵌入式存储收入占60.9%、研发封测一体化，是长鑫国产DRAM颗粒的下游模组/封测承接方，直接受益国产存储渗透率提升。

东吴证券2026-06-23研报：长鑫存储已启动HBM扩产，拟IPO募资295亿元用于DRAM（含HBM）技术升级；HBM测试道数由3-4道增至15道以上，存储测试机需求成倍增长。公司为国产测试机龙头（测试机收入占60.5%），是长鑫扩产最直接的设备端受益标的之一。

招商证券2026-06-03研报：长鑫存储DDR5/LPDDR5已规模化量产，合肥一期二期及北京产线2026年基本达产、上海临港新厂推进，存储扩产带动PECVD/ALD及沟槽填充设备需求。公司PECVD/ALD/SACVD设备收入占96.6%，深度绑定国内存储原厂扩产周期。

内存互连芯片全球龙头，2025年内存接口芯片收入占94.2%、以36.8%市占率居全球第一（开源证券2026-05-11）。DDR5迭代与AI服务器拉动RCD/内存模组配套芯片量价齐升，是长鑫DDR5放量与全球内存景气上行背景下A股最直接的内存配套芯片标的。

华安证券2026-05-01、申万宏源2026-05-05研报：公司战略投资鑫丰科技布局DRAM封测，并协同地方国资平台持续增资，目标2027年DRAM封装产能提升至6万片/月，明确将充分受益存储龙头厂商（含长鑫）产能扩张对封测环节的带动。

子公司沛顿科技为国内少数存储芯片封测专业厂商，2026年5月公告深圳沛顿+合肥沛顿合计投资14.70亿元扩产高端存储封测（国投证券2026-06-12），合肥基地与长鑫存储同城布局，直接受益存储封测景气上行与国产化订单导入。

国产存储品牌龙头，主营Flash及DRAM存储器研发销售，2025年报嵌入式存储收入占44%、内存条占9.7%，内存/闪存为核心概念。全球内存ETF加码中国DRAM（长鑫、兆易）凸显国产存储景气，公司作为A股可投的存储模组标的同步受益内存涨价与国产晶圆渗透。

浙商证券2026-06-11研报：氧化铪为DRAM 20nm以下节点高k电容介质材料，长鑫存储亦有HfO2布局；公司锆铪分离半工业化产线已连续产出4N级电子级氧氯化铪，拟建2万吨锆铪分离项目，铪业务对接存储扩产的材料需求（铪尚处投产前期，锆产品现占收入83.6%）。