SK海力士与闪迪发布HBF首份标准规范
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控股子公司海太半导体与SK海力士签署《第四期后工序服务合同》（2025.7.1-2030.6.30），以"全部成本+约定收益（总投资额10%+超额收益）"为SK海力士提供半导体后工序服务，产品全部销往SK海力士（2025年报）；半导体业务占收入15.3%、利润26%。SK海力士发布HBF标准标志其存储业务扩张，后工序服务订单直接受益；近5日主力净流入约21.9亿元。
公司拥有SK海力士一线品牌代理资格（子公司联合创泰），2025年报明确"第一大供应商为SK海力士，采购产品为数据存储器"，电子元器件分销业务收入占比94.2%。SK海力士推出HBF（高带宽闪存）新存储层级并发布首份标准，其存储产品线扩容将直接带动公司分销业务放量。
2025年报直接论述HBF："行业正通过HBF（高带宽闪存）构建新的存储层级，基于NAND闪存堆叠，在相同物理空间内提供约为现有HBM 8~16倍的容量"；公司掌握2.5D/Chiplet/RDL/Fanout先进封装，据弗若斯特沙利文为全球唯一具备晶圆级封测技术的独立存储解决方案供应商。HBF技术路径与公司先进封装+存储主业高度对标。
国泰海通2026-03-28持续督导报告确认：公司硅零部件已进入长江存储、长鑫存储、福建晋华、SK海力士（大连）等主流存储芯片制造厂；2025年报披露SK海力士2026年资本开支增至30万亿韩元以上、重点投向存储扩产。HBF依赖3D NAND堆叠扩产，刻蚀用硅零部件为晶圆制造核心耗材，直接受益；近5日主力净流入约0.6亿元。
内存接口芯片收入占比94.2%（2025年报），DDR5高带宽内存接口芯片MRCD/MDB为JEDEC标准产品，支持速率达DDR5-8800。HBF作为介于HBM与SSD之间的新存储层级，其"接近HBM的高速数据传输能力"依赖内存互连芯片配套，新存储层级标准化将扩展互连芯片市场空间。
存储模组及主控龙头，2025年报提出SPU芯片+固件实现"SSD/UFS承接DRAM温冷数据缓存、NAND对DRAM的无缝延伸"，理念与HBF（以NAND大幅扩容并承担部分DRAM负载）同源；公司自研主控+企业级SSD布局端侧AI存储。HBF首份标准落地验证NAND大容量+高速传输方向，公司为国内最直接受益的存储模组厂商之一。
2025年报披露在研项目"HBM存储芯片集成化测试系统与软件协同开发"，为国内独立第三方集成电路测试服务商，工艺覆盖3nm-16nm先进制程。HBF兼具HBM高速接口与NAND大容量特性，存储芯片测试需求随新层级量产放量，公司测试业务直接受益。
2025年报明确为"先进逻辑、先进存储以及HBM 2.5D/3D封装等前沿领域客户提供覆盖光学+电子束+X光三大技术路线的一站式良率管理解决方案"，并推出高深宽比刻蚀结构量测设备（适用于3D NAND）。HBF基于NAND多层堆叠+先进封装量产，检测量测设备为产能爬坡必备环节。
2025年报披露JH5302/JH5400/JH5500/JH5510等系列存储测试设备满足Flash/DRAM存储器件测试需求；光学关键尺寸量测设备可精准表征垂直堆叠NAND闪存、DRAM存储单元三维结构。HBF基于3D NAND堆叠扩产，带动存储测试与量测设备需求。
子公司沛顿科技（深圳）与合肥沛顿存储构成半导体封测双基地（2025年报），报告期内双基地产能产量持续提升并推进先进封测技术研发，深圳沛顿获广东省制造业单项冠军。HBF代表的NAND大容量存储新层级产业化将扩大存储封测需求，公司作为国内存储封测主力平台间接受益。
国内NAND SSD主控芯片设计龙头，2025年报详解SSD组成包括主控芯片、DRAM缓存和NAND闪存颗粒，并梳理三星、海力士、美光等NAND原厂格局。HBF依托NAND闪存堆叠实现大容量存储，主控芯片作为存储器件核心管控单元，需求随新存储层级产业化同步增长。