机构：第二季度三星电子重返DRAM市场份额第一 长鑫存储增速最快
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与长鑫深度绑定：董事长朱一明兼任长鑫科技集团董事长，长鑫为关联法人，2026年度日常关联交易预计额度公告确认继续大额采购（招商证券2026-05-06研报：全年与长鑫采购额达57.11亿元）。利基DRAM Q1收入环比翻倍，存储芯片占2025年收入71.3%。长鑫DRAM份额跃升直接强化其产能保障与货源，5日主力净流入7.1亿元。
存储模组研发封测一体化厂商，2026年1-2月业绩预增公告明确'AI算力与国产替代驱动DRAM/NAND价格持续上涨，行业供不应求，公司受益显著'；2025年报引TrendForce数据长鑫DRAM份额5.8%，并称本土原厂扩产将带动封测与解决方案需求。5日主力净流入7.25亿元，新闻当日主力大幅流入3.66亿。
全球DDR5内存接口芯片龙头，内存接口芯片占2025年收入94.2%，覆盖DDR5 RCD/DB/MRCD/MDB全系列（2025年报）。全球DRAM市场量价齐升直接拉动服务器内存模组出货，配套接口芯片需求同步放量。5日主力净流入4.46亿元，境外持仓比例12.71%显著高于市场均值。
2025年报披露第一大供应商为SK海力士，采购产品为DRAM数据存储器，新闻中SK海力士居全球DRAM份额第二；自有品牌'海普存储'企业级DRAM产品线已量产并首次规模盈利（华鑫证券2026-03-22研报：2025年预计收入17亿元）。DRAM景气上行直接增厚其分销与自研业务。
国产测试机龙头，东吴证券2026-06-23研报指出'长鑫存储已启动HBM扩产，计划通过IPO募集295亿元用于DRAM（含HBM）技术升级，国产HBM量产有望带动存储测试设备需求放量'；测试机占2025年收入60.5%，是长鑫扩产直接受益的国产设备环节。
主营Flash及DRAM存储器，内存条产品线覆盖DDR4/DDR5全规格（4GB-256GB，2025年报），存储业务收入占比100%。DRAM原厂景气上行与长鑫等国产颗粒供应提升，直接利好其内存条及嵌入式存储业务。
存储半导体业务占2025年收入26.0%、利润28.9%，为国内存储封测核心厂商；2025年报称'紧跟存储半导体行业市场需求，加快扩充优质产能，着力与重点客户深化战略合作'。长鑫DRAM产能扩张直接带动本土存储封测配套需求。
2025年报披露与澜起科技合作开发DDR5内存模组SPD芯片，自2021Q4起在行业主要内存模组厂商大范围应用；存储类芯片占2025年收入87.6%。DDR5渗透率提升与DRAM模组放量直接拉动其SPD/EEPROM配套芯片需求。
2025年报披露半导体前驱体（high-k、硅基、金属材料）广泛运用于3D NAND、DRAM内存芯片等先进制程，已构建中国和韩国双研发部门。DRAM原厂（含长鑫）扩产直接拉动前驱体材料需求，是存储扩产的确定性材料受益环节。
硅零部件（存储刻蚀核心耗材）占2025年收入54.1%；国泰海通2026-04-21及招商证券2026-06-15研报均指出DRAM/HBM与3D NAND扩产提升刻蚀价值量、硅零部件国产替代空间打开，2026Q1公司已进入景气区间并获海外订单。
境内稀缺的MEMS探针卡批量供应商（2025-12上市），东吴证券2026-06-07研报指出'长鑫、长存开启扩产周期将直接拉动晶圆测试相关需求，公司持续推进国产存储龙头客户产品验证并推动批量交付'；探针卡销售占2025年收入95.3%。
存储模组厂商，内存条类产品（DDR4/DDR5）占2025年收入9.7%、利润17.1%；定增募投加码内存模组产能，采购DRAM颗粒与接口芯片集成生产。DRAM原厂份额提升与国产颗粒供给增加利好其内存模组业务。